处理中...

首页  >  产品百科  >  K20A60-VB

K20A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: K20A60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20A60-VB

K20A60-VB概述

    K20A60-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K20A60-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET,适用于多种高电压转换场景。该产品主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。K20A60-VB具有出色的低导通电阻和低栅极电荷特性,使其非常适合需要高效能和低损耗的应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(25°C时): 0.19 Ω
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2-5 V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA (VDS = 520 V, VGS = 0 V)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 105 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 71 nC
    - 有效输出电容 \( Co(tr) \): 293 pF
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大脉冲栅极电流 \( I{AS} \): 4.5 A
    - 峰值焊接温度(10秒): 300°C
    - 绝对最大额定值(除非另有说明,否则为TC=25°C):
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 持续漏极电流 \( ID \) (TJ = 150°C): 20 A
    - 单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 360 mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 200 W

    产品特点和优势


    K20A60-VB MOSFET 具有多项独特的功能和优势:
    - 低导通电阻和低栅极电荷: 低导通电阻确保了低功耗和高效率,而低栅极电荷有助于降低开关损耗。
    - 快速开关性能: 出色的动态特性使得该器件适合于高频开关应用。
    - 高可靠性: 在各种极端环境下都表现出高可靠性和稳定性。
    - 低热阻: 保证了良好的散热性能,提高了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    K20A60-VB MOSFET 广泛应用于多种场景,例如:
    - 电源供应器: 在服务器和电信电源供应器中,K20A60-VB 的高可靠性和低损耗特性可以显著提高系统的整体效率。
    - 照明系统: 用于 HID 和荧光灯的镇流器,确保在高电流应用中的稳定性和效率。
    - 工业应用: 在高要求的工业环境中,K20A60-VB 可以提供优异的性能和长期稳定性。
    使用建议:
    - 确保在高电流应用中,合理设计散热方案,以保持器件的正常运行温度。
    - 在高频率开关应用中,使用合适的栅极驱动电路,以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    K20A60-VB MOSFET 与其他标准 TO-220 FULLPAK 封装的器件具有良好的兼容性,便于替换和升级。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,确保客户能够获得最佳的产品体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的栅极电压。
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动电路,确保栅极电压不超过器件的最大额定值。

    - 问题: 温度过高导致失效。
    - 解决方案: 设计合理的散热方案,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,K20A60-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合于高电压、高效率的应用场合。其优异的低导通电阻和快速开关性能使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐在需要高效率和稳定性的场合中使用此产品。
    如有任何疑问或需求,可联系服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持和产品信息。

K20A60-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K20A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20A60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20A60-VB K20A60-VB数据手册

K20A60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.4954
100+ ¥ 9.718
500+ ¥ 8.9405
1000+ ¥ 8.5518
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 104.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336