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FQT1N60CTF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: SOT223;N—Channel沟道,650V;1A;RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: FQT1N60CTF-VB SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQT1N60CTF-VB

FQT1N60CTF-VB概述


    产品简介


    FQT1N60CTF:高性能N沟道MOSFET
    FQT1N60CTF是一种由台湾VBsemi公司生产的高性能N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这种MOSFET主要用于高电压应用,适用于工业控制、电源转换系统、电动车辆等领域。它具有快速开关、并联容易、符合RoHS标准等优点,是一款广泛应用于电力电子领域的关键器件。

    技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | VDS (最大漏源电压) | 650V |
    | RDS(on) (导通电阻) | VGS=10V时 8.4Ω |
    | Qg (栅极电荷) | 最大值 18nC |
    | Qgs (栅源电荷) | 3.0nC |
    | Qgd (栅漏电荷) | 8.9nC |
    | 配置 | 单个单元 |
    | 绝对最大额定值
    极限电压 VDS | 650V |
    极限电压 VGS | ±20V |
    持续漏电流 VGS=10V | TC=25°C时 1.2A,TC=100°C时 0.8A |
    脉冲漏电流 IDM | 4.8A |
    线性降额因子 RthJA | - 110°C/W |
    反复雪崩能量 EAS | 74mJ |
    重复雪崩电流 IAR | 2.0A |
    重复雪崩能量 EAR | 4.2mJ |
    最大功耗 PD | TC=25°C时 3W |
    最大功耗 (PCB安装) | TA=25°C时 0.02W |
    峰值二极管恢复 dV/dt | 3.0V/ns |
    工作温度范围 TJ,Tstg | -55°C 到 +150°C |

    产品特点和优势


    FQT1N60CTF具备以下显著特点和优势:
    - 卤素无添加:根据IEC 61249-2-21定义,适合环保需求。
    - 动态dV/dt评级:可以承受高压变化率,适合高频开关应用。
    - 重复雪崩额定:能够处理高能瞬变事件,提高可靠性。
    - 快切换:低开关损耗,提升效率。
    - 易于并联:适用于需要更高电流的应用。
    - 符合RoHS标准:适用于多种应用领域。
    这些特点使得FQT1N60CTF在电力转换、电机驱动等领域表现出色,市场竞争力强。

    应用案例和使用建议


    FQT1N60CTF广泛应用于各种电力电子系统中,例如:
    - 工业控制:用于电机驱动和变频器系统。
    - 电源转换系统:如交流到直流转换器,电池充电器。
    - 电动车辆:用于电动汽车的逆变器和电池管理系统。
    在应用中,建议注意以下几点:
    - 电路布局:确保低寄生电感和接地平面设计,以减少电磁干扰。
    - 散热管理:考虑到MOSFET的工作温度范围和最大功耗,合理选择散热片和PCB布局。

    兼容性和支持


    FQT1N60CTF可与其他标准组件配合使用,方便集成到现有系统中。VBsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过载情况下工作不稳定
    - 解决方案:确保散热良好,避免超过绝对最大额定值。

    2. 问题:开关频率过高导致发热严重
    - 解决方案:调整电路设计,增加散热措施或降低开关频率。
    3. 问题:长时间运行后性能下降
    - 解决方案:定期检查电路布局和接线情况,确保没有接触不良或热应力过大。

    总结和推荐


    FQT1N60CTF凭借其高性能、高可靠性和环保特性,在多种电力电子应用中表现优异。其易用性和广泛的兼容性使其成为众多工程师的首选。强烈推荐在需要高可靠性和高效能的电力转换和控制系统中使用此产品。

FQT1N60CTF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 1A
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQT1N60CTF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQT1N60CTF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQT1N60CTF-VB FQT1N60CTF-VB数据手册

FQT1N60CTF-VB封装设计

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