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VBP19R47S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,950V;47A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2V-4V;
供应商型号: 14M-VBP19R47S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP19R47S

VBP19R47S概述


    产品简介


    VBP19R47S 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超结功率MOSFET。其最大击穿电压(VDS)为900伏,主要用于高功率转换应用。这种MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),能够显著减少开关和传导损耗。VBP19R47S广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明(如高强度放电灯和荧光灯)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统等)。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 最大击穿电压 | VDS | 900 | V |
    | 栅极-源极击穿电压 | VGS | ±30 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C)| ID | 47 | A |
    | 脉冲漏极电流(峰值) | IDM | 142 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1510 | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 465 | W |
    | 导热系数(结到环境) | RthJA | - | °C/W |
    | 导热系数(结到外壳) | RthJC | - | °C/W |
    | 开启延迟时间(VDD=720V, ID=6A, VGS=10V, Rg=9.1Ω) | td(on) | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | ns |

    产品特点和优势


    VBP19R47S 具有多项独特的技术优势,使其在高性能电源管理领域脱颖而出:
    - 低导通电阻与栅极电荷:通过降低Ron与Qg,可以显著减少开关和传导损耗。
    - 低输入电容:有助于提高频率响应,适合高频率应用。
    - 雪崩能量额定值:具备良好的耐受能力,确保稳定运行。
    - 适应性强:适用于多种高压、高频应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在一款服务器电源模块的设计中,VBP19R47S 的使用显著提升了模块的整体效率,减少了能源损耗,从而实现了更高的功率密度和可靠性。
    使用建议:
    1. 选择合适的栅极电阻(Rg):适当的栅极电阻能够优化开关速度,同时避免过高的开关应力。
    2. 考虑散热设计:由于高功率运行会导致较大热量产生,因此需要充分考虑散热设计以保持正常工作温度。
    3. 避免并联使用:由于该型号的漏极-源极击穿电压较高,不建议多个MOSFET并联使用以避免单点故障风险。

    兼容性和支持


    VBP19R47S 采用TO-247AC封装,易于集成到现有电路板中。与多数主流控制器及保护电路具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障诊断及维修服务等,确保用户获得最佳使用体验。

    常见问题与解决方案


    常见问题:在高功率运行时,MOSFET出现异常发热。
    解决方案:检查电路设计中是否存在不必要的寄生电感和电容;优化散热系统,保证MOSFET能够在安全的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,VBP19R47S 是一款出色的N沟道超结功率MOSFET,在高效能电源管理系统中展现出色的性能表现。其低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能量额定值等特性使得它在高频率、高功率应用场合尤为适用。推荐使用VBP19R47S于对可靠性要求较高的电源管理和工业控制场景。

VBP19R47S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 47A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 950V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V-4V
配置 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP19R47S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP19R47S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP19R47S VBP19R47S数据手册

VBP19R47S封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 45.0225
10+ ¥ 41.0026
30+ ¥ 38.7065
100+ ¥ 34.0884
300+ ¥ 32.8021
900+ ¥ 32.1589
库存: 10
起订量: 1 增量: 300
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型号 价格(含增值税)
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