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IRFH5053TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,30A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:DFN8(5X6)
供应商型号: IRFH5053TRPBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH5053TRPBF-VB

IRFH5053TRPBF-VB概述

    IRFH5053TRPBF-VB 产品技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFH5053TRPBF-VB 是一款来自VBsemi的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高要求的电力转换和控制场景。其核心特点包括采用先进的TrenchFET®技术,具备高击穿电压(V(BR)DSS)、低导通电阻(rDS(on))以及优异的热性能。该器件广泛应用于隔离式直流-直流转换器(Isolated DC/DC Converters)等领域。
    - 产品类型:N沟道功率MOSFET
    - 主要功能:用于电力电子系统中的开关控制、电流调节及信号放大
    - 应用领域:隔离式DC/DC转换器、工业电源、通信设备、电池管理系统等

    2. 技术参数


    以下为IRFH5053TRPBF-VB的关键技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压(VDS) | - | - | 100 | - | V |
    | 导通电阻(rDS(on)) | - | - | 0.017(10V) | - | Ω |
    | 连续漏极电流(ID) | - | - | 30(25°C) | - | A |
    | 最大栅源电压(VGS) | - | ±20 | - | - | V |
    | 工作温度范围(TJ) | - | -55 | - | 150 | °C |
    其他特性:
    - 极限工作温度:最高可达175°C
    - 极低热阻设计,确保高效散热
    - 符合RoHS标准,绿色环保材料
    - 集成测试保证100%可靠性,满足V(BR)DSS要求

    3. 产品特点和优势


    - 卓越的性能:极低的导通电阻(典型值0.017Ω@10V),可显著降低功耗并提升效率。
    - 高可靠性:100%的Rg测试确保生产质量;最高工作温度达到175°C,适合恶劣工作环境。
    - 高效热管理:采用低热阻设计(典型值1.0°C/W),减少温升对器件寿命的影响。
    - 快速开关特性:得益于TrenchFET®技术,该器件具有出色的开关速度和高频响应能力。
    这些特点使其在高压、高功率密度的应用场景中脱颖而出,成为同类产品的市场领导者。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 隔离式DC/DC转换器:用于电信、服务器和工业自动化设备中,实现电压隔离和稳定输出。
    - 电池管理:作为锂离子电池组中的保护开关,防止过流或短路风险。
    - 工业电机驱动:在伺服电机和工业泵中提供高效的能量转换。
    使用建议
    - 在高功率电路中,建议配合散热片使用以进一步优化热性能。
    - 对于需要长时间工作的场合,应避免超过额定工作温度,必要时增加外部冷却措施。
    - 设计中需合理选择栅极电阻值,建议保持在0.76Ω左右,以平衡开关速度和功耗需求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFH5053TRPBF-VB可与市面上主流的控制IC和开发板无缝集成,例如STM32系列微控制器。
    - 支持服务:VBsemi提供专业的技术支持团队,客户可通过热线400-655-8788获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致失效 | 检查散热设计,添加散热片或风扇 |
    | 开关波形不理想 | 调整栅极电阻值,优化驱动电路参数 |
    | 短时间内过载 | 使用外部保护电路,设置电流限制阈值 |

    7. 总结和推荐


    IRFH5053TRPBF-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合需要高电压、大电流、高效率的场景。其突出的技术参数、紧凑的设计以及优秀的性价比,使其在市场上极具竞争力。强烈推荐在需要精确电力控制和高效转换的应用中使用。
    如有更多疑问,请联系VBsemi官方热线:400-655-8788 或访问官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

IRFH5053TRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH5053TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH5053TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH5053TRPBF-VB IRFH5053TRPBF-VB数据手册

IRFH5053TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 4.9667
5000+ ¥ 4.7507
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