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NTD4863NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: NTD4863NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4863NT4G-VB

NTD4863NT4G-VB概述

    NTD4863NT4G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4863NT4G 是一款由VBsemi制造的N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件基于先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电力应用。具体来说,它适用于电源管理、服务器、DC/DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 型号 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 (VDS) 30 V
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 10 V栅压时 | 0.005 Ω
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 4.5 V栅压时 | 0.006 Ω
    | 零栅压漏电流 (IDSS) <1 μA
    | 输出电荷 (Qg) | 10 V栅压时 | 61 nC | 107 nC |
    | 绝对最大额定值 (TA=25°C) |
    | 漏源电压 (VDS) 30 V
    | 栅源电压 (VGS) ±20 V
    | 连续漏极电流 (ID) | TA=25°C | 25.8 A
    | 最大功耗 (PD) | TA=25°C | 205 W

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:经过100% Rg和UIS测试,确保高度可靠。
    - 环保标准:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,绿色无铅设计。
    - 出色的热性能:热阻低(RthJA = 32°C/W),保证长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于服务器电源管理
    - DC/DC转换器中的电源开关
    - OR-ing电路中的保护器件
    使用建议:
    - 在设计中考虑散热需求,避免器件过热导致损坏。
    - 使用大容量电容以减少栅极充电时间,提高工作效率。
    - 确保驱动电路与MOSFET的栅极之间有足够的抗干扰能力。

    5. 兼容性和支持


    NTD4863NT4G采用TO-252封装,与多数标准PCB工艺兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,如有问题可通过服务热线400-655-8788咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 增加散热片,改善散热条件 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻Rg,加快栅极充电速度 |
    | 漏电流过大 | 检查连接线路,确保没有短路发生 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTD4863NT4G是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适合于多种电源管理和电力转换应用场景。其低导通电阻和良好的热性能使其成为众多电子系统中的理想选择。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和高可靠性,强烈推荐在需要高效电力转换和管理的应用中使用该MOSFET。

NTD4863NT4G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 60A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD4863NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4863NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4863NT4G-VB NTD4863NT4G-VB数据手册

NTD4863NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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