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NTMD4N03R2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: NTMD4N03R2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTMD4N03R2G-VB

NTMD4N03R2G-VB概述

    NTMD4N03R2G Dual N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMD4N03R2G 是一款双N沟道30V(D-S)功率MOSFET,专为低电流DC/DC转换器及机顶盒等应用设计。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具备高可靠性及卓越性能,适用于多种工业和消费电子设备。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 30 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 6.2 A(在25°C时)
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 0.022 Ω(在VGS = 10 V时)
    - 0.026 Ω(在VGS = 4.5 V时)
    - 总栅极电荷(Qg):
    - 3.7 nC(在VDS = 15 V, VGS = 4.5 V时)
    - 5.6 nC(在VDS = 15 V, VGS = 10 V时)
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 1.25 mJ
    - 热阻(RthJA): 58°C/W(脉冲测试,脉冲宽度≤300 µs,占空比≤2%)
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料: 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 高可靠测试: 100%通过UIS和Rg测试。
    - 温度系数低: ΔVDS/TJ 在ID = 250 µA时为32 V/mV·°C。
    - 出色的开关性能: 极低的栅极电阻(Rg)确保了快速开关速度。
    - 安全操作区域广: 安全运行在较高的电压和电流条件下,确保长期可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于各种低电流DC/DC转换器,例如机顶盒电源管理电路。由于其高效率和低损耗特性,使得整体系统能耗更低,效率更高。
    - 使用建议: 在高温环境下使用时,注意散热设计以避免过温情况。建议在实际应用前进行详细的热仿真和负载测试,确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的大多数电子设备兼容,可以直接替代现有设计中的同类MOSFET。
    - 技术支持: 提供详尽的技术文档和产品支持服务。如需进一步帮助,请联系VBsemi客户服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查栅极电阻是否合理设置,优化驱动信号。 |
    | 热稳定性差 | 确保良好的散热设计,使用合适尺寸的散热片。 |
    | 开关损耗大 | 调整栅极驱动信号,降低Qg值,改善寄生电容。 |

    7. 总结和推荐


    NTMD4N03R2G 作为一款高性能的双N沟道30V MOSFET,其出色的导通电阻和快速开关性能使其成为低电流DC/DC转换器和机顶盒的理想选择。考虑到其优秀的温度特性和可靠性,强烈推荐用于要求严苛的应用场合。此外,其环保材料和兼容性使得它能够广泛应用于各类消费电子和工业设备中。

NTMD4N03R2G-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMD4N03R2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTMD4N03R2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTMD4N03R2G-VB NTMD4N03R2G-VB数据手册

NTMD4N03R2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
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