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IRLML6302TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: IRLML6302TRPBF-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML6302TRPBF-VB

IRLML6302TRPBF-VB概述

    IRLML6302TRPBF P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML6302TRPBF 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),最大耐压为 20V。它主要用于负载开关、功率放大器开关以及 DC/DC 转换器等领域。这款 MOSFET 的关键特点是低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,使其适用于多种高频和高效能的应用场景。

    技术参数


    以下是 IRLML6302TRPBF 的技术规格:
    - 最大耐压(VDS):20V
    - 最大连续漏极电流(ID):4.5A (TA = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 最大漏极-源极导通电阻(RDS(on)):0.035Ω (VGS = -10V, ID = -5.1A)
    - 输入电容(Ciss):835pF (VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):180pF
    - 反向转移电容(Crss):155pF
    - 总栅极电荷(Qg):10nC (VDS = -10V, VGS = -4.5V, ID = -5.1A)

    产品特点和优势


    IRLML6302TRPBF 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:最高 0.035Ω (VGS = -10V),确保了较低的损耗和较高的效率。
    - 高电流处理能力:最大漏极电流可达 18A。
    - 快速开关特性:得益于低栅极电荷,该 MOSFET 的开关速度更快。
    - 高温性能稳定:能在 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定工作。
    - 环保材料:采用无卤素材料,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:例如,在直流电机控制电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件来控制电机的启停。
    - PA开关:在射频放大器中,可用于控制功率放大器的工作状态。
    - DC/DC转换器:在电源管理电路中,可用于电压转换和稳压。
    使用建议:
    1. 散热设计:在高电流应用场景中,需要考虑良好的散热设计以防止过热。
    2. 驱动电路:由于该 MOSFET 的栅极电荷较高,需要使用合适的驱动电路以确保快速可靠的开关。

    兼容性和支持


    IRLML6302TRPBF 采用了 TO-236(SOT-23)封装,易于焊接且适合表面安装。厂商提供了全面的技术支持,包括详细的资料和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流下发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或采用更大的 PCB 设计,以提高散热效果。
    - 问题:开启延迟时间较长。
    - 解决方案:优化驱动电路,使用更合适的驱动电压和电阻。

    总结和推荐


    IRLML6302TRPBF 是一款性能优异的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和良好的温度稳定性。它适用于各种高频和高性能应用场合。对于需要高性能开关器件的设计工程师来说,这是一款值得推荐的产品。

IRLML6302TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLML6302TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML6302TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLML6302TRPBF-VB IRLML6302TRPBF-VB数据手册

IRLML6302TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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