处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE55H12-VB

NCE55H12-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: NCE55H12-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE55H12-VB

NCE55H12-VB概述


    产品简介


    NCE55H12是一款60V N沟道(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。它的设计旨在提供高效能和低损耗的电力传输,适用于工业自动化、消费电子和通信设备等多种应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 3.5V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): ≤ 1.0μA (VGS = 0V, VDS = 60V)
    - 最大脉冲栅源泄漏电流 (IGSS): ± 100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    - 静态特性
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ± 100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): ≤ 1.0μA (VGS = 0V, VDS = 60V)
    - 额定连续漏电流 (ID): 210A (TC = 25°C), 120A (TC = 125°C)
    - 额定单脉冲雪崩电流 (IAS): 75A
    - 额定单脉冲雪崩能量 (EAS): 281mJ
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 9300pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): ≤ 400pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): ≤ 400pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 总栅电荷 (Qg): ≤ 180nC (VGS = 10V, VDS = 30V, ID = 110A)
    - 热性能
    - 结到环境的热阻 (RthJA): 40°C/W (PCB安装)
    - 结到外壳的热阻 (RthJC): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 环保材料:采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准。
    2. 高效的低电阻:RDS(on)低至0.003Ω(VGS = 10V),确保较低的导通损耗。
    3. 高可靠性和稳定性:所有产品都经过100%的Rg和UIS测试,保证了产品的可靠性。
    4. 兼容RoHS标准:完全符合RoHS指令2002/95/EC,适合广泛的电子产品应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源
    - 逆变器
    - 电机驱动系统
    使用建议:
    1. 散热管理:在高温环境下使用时,需注意有效散热以保持稳定的工作温度。
    2. 驱动电路设计:为了降低功耗,建议使用较高栅极电阻(Rg),例如2.5Ω。
    3. 应用场景选择:对于需要频繁开关的应用,如电机控制,确保使用具有足够电流容量的产品以防止过载。

    兼容性和支持


    NCE55H12可与各种常见的电子元器件和设备兼容。制造商提供全面的技术支持和维护,包括产品认证、技术支持和故障排除服务。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:
    - 解决方案:改善散热系统,确保适当的通风和散热片。
    2. 驱动不稳定:
    - 解决方案:检查驱动电路的稳定性,确保栅极电阻设置正确。
    3. 导通时间长:
    - 解决方案:优化驱动信号,增加栅极电阻以缩短导通时间。

    总结和推荐


    NCE55H12是一款出色的N沟道MOSFET,具备高效的电力转换能力和可靠的性能表现。它适用于多种高压大电流应用场景,如开关电源、逆变器和电机驱动系统。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的场合使用。

NCE55H12-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 210A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE55H12-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE55H12-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE55H12-VB NCE55H12-VB数据手册

NCE55H12-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831