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2SK1420-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: 2SK1420-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1420-VB

2SK1420-VB概述

    2SK1420-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK1420-VB 是一款高可靠性、适用于多种应用场合的 N-通道 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品以其高电压隔离、低热阻和动态 dV/dt 额定值等特点,广泛应用于电源管理、逆变器、电动工具等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压 (VDS):60 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 下为 45 A,100°C 下为 17.3 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):峰值可达 220 A,脉宽≤300 µs,占空比≤2%
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):100 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 下为 52 W
    - 热阻 (RthJA):65°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 静态特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 下为 0.027 Ω
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):60 V 下为 25 µA
    - 前向转移电导 (gfs):25 V 下为 15 S
    - 输入电容 (Ciss):1500 pF
    - 输出电容 (Coss):100 pF
    - 反向传输电容 (Crss):12 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 95 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):27 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):46 nC
    - 动态特性
    - 开通过程延迟时间 (td(on)):19 ns
    - 关断过程延迟时间 (td(off)):-55 ns
    - 内部引线电感 (LD):4.5 nH
    - 内部源极电感 (LS):7.5 nH

    3. 产品特点和优势


    - 高电压隔离:2.5 kVRMS(60 秒内,60 Hz),适用于需要高压隔离的应用。
    - 低热阻:热阻低,保证长时间工作的稳定性。
    - 动态 dV/dt 额定值:确保在高速开关条件下稳定工作。
    - 高工作温度:可在高达 175°C 的温度下正常工作,适应严苛的环境要求。
    - 无铅封装:符合环保要求,适合绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:电源转换、电机驱动、电池充电器等。
    - 使用建议:
    - 确保 PCB 布局低寄生电感,以减少干扰。
    - 采用接地平面设计,降低漏电感。
    - 在关键测试点使用电流采样电阻,确保准确度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与多种标准驱动电路配合使用,支持快速集成。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 提供详尽的技术文档、快速响应的客户服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开启时间延迟过长
    - 解决办法: 检查栅极驱动电阻值是否合适,适当减小栅极驱动电阻,缩短开启时间。
    - 问题 2: 漏电流过大
    - 解决办法: 检查是否有外部干扰,确保正确的 PCB 布局和屏蔽措施。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SK1420-VB 以其高可靠性、优越的电气特性和广泛应用范围,在众多应用中表现出色。建议在对热管理和可靠性要求较高的场合优先考虑此款 MOSFET。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的客户使用。

2SK1420-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1420-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1420-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1420-VB 2SK1420-VB数据手册

2SK1420-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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