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4503SS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4503SS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4503SS-VB

4503SS-VB概述

    N-Channel and P-Channel 30V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 和 P-Channel 30V(D-S)MOSFET 是一种高性能功率场效应晶体管,适用于电机驱动和移动电源银行等多种应用。这两种MOSFET基于沟槽工艺(TrenchFET®),具有出色的开关特性和较低的导通电阻(RDS(on)),使其成为高效电力管理的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |

    | 漏源电压(最大值) | VDS | 30 | 30 | V |
    | 栅源电压(最大值) | VGS | ±20 | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(最大值) | ID | 8e | 8e | A |
    | 瞬态漏极电流(脉冲) | IDM | 40 | 40 | A |
    | 门-体泄漏 | IGSS | ±100 | ±100 | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | -1 | µA |
    | 导通漏极电流(VDS=5V) | ID(on) | 20 | -20 | A |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | 0.018Ω | 0.040Ω | @ VGS=10V |
    更多详细技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态门阈电压 | VGS(th) | - | 2.0 | - | V |
    | 静态漏源击穿电压 | VDS | 30 | - | 30 | V |
    | 阈电压温度系数 | ΔVGS(th)/TJ | -4.1 | - | 5 | mV/°C |
    | 动态总栅电荷 | Qg | 6 | - | 63 | nC |
    | 反向传输电容 | Crss | 33 | - | 57 | pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:N-Channel 的导通电阻仅为 0.018Ω,P-Channel 为 0.040Ω(@ VGS=10V),确保高效的能量转换和更低的功耗。
    2. 高可靠性:通过 100% Rg 和 UIS 测试,保证产品的稳定性和耐用性。
    3. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC和IEC 61249-2-21标准,采用无卤素材料。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电机驱动:在电机控制电路中,MOSFET 可以作为开关元件,用于控制电机的启动和停止。
    2. 移动电源银行:在电池充电和放电过程中,MOSFET 能够有效地调节电流和电压,提供更稳定的电力输出。
    使用建议:
    - 在设计时应考虑散热措施,确保器件在高电流条件下能够保持良好的热稳定性。
    - 为避免过载情况,建议在电路中加入适当的保护措施,如热敏电阻和保险丝。

    兼容性和支持


    本产品可与其他常见的 SO-8 封装的电子元器件兼容,便于集成到现有的电路板设计中。制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的 VGS 电压?
    - 解答:参考数据表中的转移特性图,选择合适的 VGS 以获得最低的 RDS(on),从而提高效率。
    2. 问题:是否需要外部栅极电阻?
    - 解答:在高速开关应用中,建议使用 1-2Ω 的栅极电阻来限制高频噪声,确保稳定的开关行为。

    总结和推荐


    N-Channel 和 P-Channel 30V(D-S)MOSFET 在多个应用场景中表现出色,具备低导通电阻、高可靠性和环保合规性等显著优势。强烈推荐在电机驱动和移动电源等应用中使用,以实现高效和可靠的电力管理。

4503SS-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 N+P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9A,6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4503SS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4503SS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4503SS-VB 4503SS-VB数据手册

4503SS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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