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FQPF6N60C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FQPF6N60C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF6N60C-VB

FQPF6N60C-VB概述

    FQPF6N60C-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQPF6N60C-VB 是一款适用于高电压应用的 N 沟道 MOSFET。其核心优势在于低门极电荷(Qg)和高可靠性,能够满足各种工业和商业领域的电力控制需求。该器件广泛应用于电源转换、电机驱动及各种高功率开关应用中。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 门极阈值电压(VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 最大持续漏极电流(ID):3.8A
    - 最大门极电压(VGS):± 30V
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):4ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):34ns
    - 有效输出电容(Cosseff.):84 pF
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω (VGS = 10V)
    - 门极-源极电荷(Qgs):12 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):19 nC
    - 绝对最大额定值
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325 mJ
    - 最大功率耗散(PD):30W

    产品特点和优势


    FQPF6N60C-VB 的独特之处在于其低门极电荷,这使得驱动要求简单化,并且在恶劣条件下表现出色,具有增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性。此外,它通过了 RoHS 指令的合规认证,适用于环保要求严格的领域。该器件具有全面表征的电容和雪崩电压电流,能够在极端环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:该器件常用于电机驱动电路中,作为电源转换器的一部分。例如,在一个典型的应用场景中,FQPF6N60C-VB 可以在电动汽车充电站的逆变器中起到关键作用,帮助实现高效的能源转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免过热导致器件损坏。
    - 调整门极驱动电阻以优化开关性能。
    - 在高电流环境中使用时,需要特别注意过载保护措施,防止瞬间电流峰值对器件造成损害。

    兼容性和支持


    FQPF6N60C-VB 具有良好的兼容性,适用于多种高压电源转换器和其他高功率应用场合。厂商提供详尽的技术支持文档,并设有服务热线(400-655-8788),方便用户咨询和获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极驱动电路,确保门极驱动电阻选择正确。 |
    | 过热损坏 | 确保良好的散热设计,如增加散热片或使用水冷系统。 |
    | 寿命短 | 定期检查器件工作环境,确保在额定温度范围内运行。 |

    总结和推荐


    总体而言,FQPF6N60C-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能的高压 MOSFET,具备出色的可靠性、低功耗和广泛的适用性。对于需要高可靠性和高效能的应用场合,这款器件是一个理想的选择。强烈推荐在高功率开关和电源转换应用中使用 FQPF6N60C-VB。

    希望上述内容对你有所帮助。如果你有任何具体需求或问题,欢迎随时联系我们!

FQPF6N60C-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF6N60C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF6N60C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF6N60C-VB FQPF6N60C-VB数据手册

FQPF6N60C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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