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NCE0108AS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: NCE0108AS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE0108AS-VB

NCE0108AS-VB概述

    NCE0108AS N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE0108AS 是一款高性能 N 沟道增强型 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关电源设计。这款 MOSFET 具有极低的栅源漏电容和高击穿电压,非常适合在电力电子设备中作为初级侧开关。该产品采用了 SO-8 封装,适用于多种电力控制应用,如开关电源、直流-直流转换器和电机驱动器。

    2. 技术参数


    以下是 NCE0108AS 的关键技术参数:
    - 基本参数
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 击穿电压(VDS):100V
    - 持续漏极电流(TJ = 150°C):ID = 9A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):30A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):112mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):PD = 14W
    - 热阻(RthJA):最大 40°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 静态参数:
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):1µA @ VDS = 100V, VGS = 0V
    - 正向转移导纳(gfs):20S
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):1900pF
    - 输出电容(Coss):150pF
    - 反向传输电容(Crss):50pF
    - 总栅电荷(Qg):28.5nC 至 43nC
    - 门电阻(Rg):0.80Ω 至 1.3Ω
    - 转换时间:
    - 开启延迟时间(td(on)):14ns 至 21ns
    - 上升时间(tr):12ns 至 18ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):22ns 至 33ns
    - 下降时间(tf):6ns 至 10ns

    3. 产品特点和优势


    - 极低的栅漏电容(Qgd):减少开关损耗,提高效率。
    - 100% Rg 测试:确保产品的一致性和可靠性。
    - 100% 雪崩测试:增强了产品的耐用性和可靠性。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准:适用于环保要求严格的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE0108AS 广泛应用于各类电力电子产品,例如:
    - 开关电源:用于初级侧开关,提供高效能和可靠性。
    - 直流-直流转换器:优化转换效率,提升系统整体性能。
    - 电机驱动器:提高驱动效率,降低能耗。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要充分考虑散热措施,以避免过热。
    - 选择合适的栅极电阻(Rg)以优化开关性能。
    - 在高温环境下使用时,要注意功率限制。

    5. 兼容性和支持


    NCE0108AS 与多种电源管理 IC 兼容,可广泛应用于不同类型的电源设计。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热
    - 解决方案:增加散热片,优化 PCB 布局以改善热传导。
    - 问题2:开关频率过高导致损耗增加
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻(Rg),优化门极驱动电路。
    - 问题3:开启延迟时间过长
    - 解决方案:检查并优化电路中的栅极电阻和电容值。

    7. 总结和推荐


    NCE0108AS 以其出色的性能和可靠性,在电力电子领域表现出色。它具备极低的开关损耗、100%测试保证和无卤素材料,使其成为电力应用的理想选择。我们强烈推荐此款 MOSFET 给需要高性能、高可靠性的电源设计项目。

NCE0108AS-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 9A
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 23nC@ 8V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE0108AS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE0108AS-VB数据手册

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NCE0108AS-VB封装设计

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