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NVD4806NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: NVD4806NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD4806NT4G-VB

NVD4806NT4G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    NVD4806NT4G 是一款 N 沟道 30 伏特(D-S)功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造。该产品具有高可靠性和优异的电气特性,广泛应用于服务器、OR-ing 应用和 DC/DC 转换等领域。

    技术参数


    - 主要参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.5 V 至 2.5 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.002 Ω (在 \( V{GS} = 10 V \))
    - 连续漏极电流 \( ID \): 100 A (TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 300 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 94.8 mJ
    - 工作温度范围: -55 °C 至 175 °C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 32 °C/W

    产品特点和优势


    NVD4806NT4G 的主要特点和优势如下:
    - 高可靠性:100% 通过了 \( Rg \) 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令。
    - 高效性能:低 \( R{DS(on)} \),高 \( g{fs} \),适用于高频开关应用。
    - 紧凑设计:适用于多种紧凑空间的电路板设计。
    - 适应性强:适用于各种极端工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    NVD4806NT4G 常用于服务器电源管理、OR-ing 二极管和 DC/DC 转换等场合。在这些应用中,它的高效率和可靠性可以显著提高系统的整体性能和稳定性。
    使用建议
    1. 热管理:确保散热系统设计合理,避免长时间过载运行导致过热。
    2. 匹配选择:根据具体应用场景选择合适的门驱动电阻,以优化开关速度和效率。
    3. 测试验证:进行必要的电气测试和验证,确保符合设计要求。

    兼容性和支持


    NVD4806NT4G 与标准的 TO-252 封装兼容,易于安装和替换。制造商提供详细的技术支持和文档,确保客户在使用过程中得到全面的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 漏极电流过大导致器件损坏。
    - 解决方案: 检查并优化散热设计,确保器件工作在安全范围内。
    2. 问题: 开关速度慢影响系统效率。
    - 解决方案: 适当调整门驱动电阻和电容,以优化开关时间。
    3. 问题: 在高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,确保工作温度不超过器件的额定范围。

    总结和推荐


    综合评估
    NVD4806NT4G 在服务器、DC/DC 转换和其他高频应用中表现出色,具备高可靠性、高效的电气特性和良好的温度适应性。其独特的 TrenchFET® 技术使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐
    我们强烈推荐 NVD4806NT4G 作为高性能的 N 沟道 MOSFET 选择,尤其适用于需要高可靠性和效率的应用场景。

NVD4806NT4G-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD4806NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD4806NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD4806NT4G-VB NVD4806NT4G-VB数据手册

NVD4806NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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