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UTM4052L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UTM4052L-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTM4052L-VB

UTM4052L-VB概述

    UTM4052L MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTM4052L 是一款适用于CCFL(冷阴极荧光灯)逆变器的电子元器件,包含N通道和P通道的60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 这些器件采用先进的沟槽技术制造,提供了高效的功率转换能力。UTM4052L 主要应用于电源管理、LED驱动、逆变器及各类开关电路中,以其出色的性能和可靠性为系统设计提供强大的支持。

    技术参数


    | 参数名称 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 60 V | - 60 V |
    | 栅源电压(VGS) | ± 20 V | ± 20 V |
    | 持续漏电流(ID) | 5.3 A | 4.9 A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 20 A | 25 A |
    | 单脉冲雪崩电流(IAS) | 11 A | 15 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 6.1 mJ | 11 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 3.1 W | 3.4 W |
    | 绝对最大额定值
    | 阳极温度(TJ, Tstg) | - 55 to 150 °C | - 55 to 150 °C |

    产品特点和优势


    UTM4052L 具有以下显著优势:
    1. 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保了产品在极端条件下的稳定表现。
    2. 低导通电阻(RDS(on)):在标准工作条件下,N-Channel 的 RDS(on) 低至 0.026 Ω,P-Channel 的 RDS(on) 低至 0.055 Ω。
    3. 高效能:优秀的动态参数,如输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),保证了高速开关能力。
    4. 兼容性强:符合RoHS标准,满足现代电子产品对环保的要求。
    5. 广泛应用:适用于各种高要求的工业和消费类电子产品,尤其是需要高性能和长寿命的应用场合。

    应用案例和使用建议


    典型应用:UTM4052L 可用于CCFL逆变器、LED驱动器、电源管理和逆变器等。具体应用场景如下:
    1. 逆变器:在逆变器应用中,UTM4052L可以有效降低电路损耗,提高整体效率。
    2. LED驱动:作为开关元件,UTM4052L有助于控制LED的亮度和色彩,确保长期稳定性。
    3. 电源管理:在电源管理系统中,它可以实现精确的电压调节,减少功耗。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,以避免由于高温导致的性能下降。
    - 在高频开关应用中,应特别注意减少寄生电容的影响,优化PCB布局。
    - 考虑到不同应用场景的特殊需求,建议在实际使用前进行详细的测试和验证。

    兼容性和支持


    UTM4052L 具有广泛的兼容性, 并且支持多种接口标准。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。此外,还提供快速响应的技术支持服务,以帮助客户解决任何潜在问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温下性能不稳定。
    解决办法:确保良好的散热设计,如增加散热片或使用散热材料。

    2. 问题:电路切换时出现异常噪音。
    解决办法:检查电路板上的布局,特别是寄生电容和寄生电感的影响,调整PCB设计。
    3. 问题:电路启动延迟。
    解决办法:调整栅极电阻(Rg),并确保电源电压稳定。

    总结和推荐


    综上所述,UTM4052L是一款高性能、高可靠性的MOSFET器件。它具备出色的电气性能、宽泛的工作温度范围和优异的抗冲击能力。这些特性使其成为电源管理、逆变器和LED驱动等应用的理想选择。对于追求高效能和高可靠性的客户,强烈推荐使用UTM4052L。
    通过本文的详细介绍,相信读者对UTM4052L MOSFET及其在各种应用场景中的表现有了更深入的理解。希望这些信息能够帮助您在未来的项目中做出明智的选择。

UTM4052L-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 N+P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTM4052L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTM4052L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTM4052L-VB UTM4052L-VB数据手册

UTM4052L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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