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IRLU024NPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
供应商型号: IRLU024NPBF-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLU024NPBF-VB

IRLU024NPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 介绍
    本文介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 60 V(D-S)MOSFET。这是一款高性能的TrenchFET® Power MOSFET,具有零卤素、符合RoHS标准的特点。该产品主要用于电源转换,如同步整流器和DC/DC转换器等领域,适用于需要高效率和低损耗的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 60 V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.03Ω @ VGS=10 V |
    | 持续漏极电流(ID) | 5 A |
    | 总栅极电荷(Qg) | 21.7 nC |

    产品特点和优势


    - 零卤素材料:符合IEC 61249-2-21定义,确保环保安全。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品质量稳定可靠。
    - 兼容RoHS标准:适用于现代电子设备的需求。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提供低阻抗和高开关速度。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在同步整流器和DC/DC转换器中使用时,可提高转换效率和可靠性。
    - 高频应用:由于其优秀的动态特性,非常适合高频工作环境。
    使用建议:
    - 确保正确的安装和接线,以避免过热和损坏。
    - 在高频应用中,注意散热设计,以保证良好的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他标准的电子元件配合使用,适用于多种电路设计。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户解决任何技术难题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保良好的散热条件。

    - 问题2:转换效率低。
    - 解决方案:检查驱动信号质量和负载状态,调整驱动参数以优化性能。

    总结和推荐


    综上所述,这款VBsemi公司的N-Channel 60 V MOSFET凭借其零卤素、低漏源导通电阻和高开关频率的优势,在电源转换领域表现出色。尤其适合需要高效能转换和低功耗的应用。对于需要精确控制和可靠性的系统,这款MOSFET是值得推荐的选择。

IRLU024NPBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 28nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 25A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,36mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLU024NPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLU024NPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLU024NPBF-VB IRLU024NPBF-VB数据手册

IRLU024NPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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