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NTF3055-100T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: NTF3055-100T-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTF3055-100T-VB

NTF3055-100T-VB概述


    产品简介


    N-Channel 0-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率开关器件。主要应用于便携式设备的负载开关。该MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,使得其具备低导通电阻和高效率等特点。它还符合无卤素要求,符合RoHS标准,适合现代电子设备的设计需求。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS):最高60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 绝对最大额定值:在25°C时,最大漏源电压为0V;在25°C时,最大连续漏电流为0.7A
    - 性能参数
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V,ID = 4.0A时为0.07Ω;在VGS = V,ID = 3.0A时为0.08Ω
    - 总栅电荷(Qg):典型值为22nC,最大值为33nC
    - 零门电压漏电流(IDSS):VDS = 0V,VGS = 0V时为1μA;VDS = 60V,VGS = 0V,TJ = 55°C时为10μA
    - 门极到源极阈值电压(VGS(th)):在VDS = VGS,ID = 250µA时为1.0V
    - 零门电压漏电流(IDSS):VDS = 0V,VGS = 0V时为1μA;VDS = 60V,VGS = 0V,TJ = 55°C时为10μA
    - 反向恢复时间(trr):IF = 4.0A,dI/dt = 100A/µs,TJ = 25°C时为20-40ns
    - 最大功耗(PD):在25°C时为4.0W
    - 工作温度范围
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至150°C
    - 热阻参数
    - 结到环境的最大热阻(RthJA):40°C/W(最大)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低导通电阻有助于降低功耗并提高效率。
    - TrenchFET®技术:采用TrenchFET®技术,实现更高的击穿电压和更低的栅电荷。
    - 无卤素设计:满足环保要求,适用于多种电子设备。
    - 兼容性强:适合便携式设备的负载开关,如智能手机和平板电脑。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET可以广泛应用于便携式设备的负载开关。例如,在智能手机中用于电池管理和电源转换。

    - 使用建议:
    - 在使用过程中,注意确保MOSFET的工作温度不超过规定范围。
    - 使用散热片或散热板来降低工作温度,从而延长使用寿命。
    - 确保正确连接电路,避免因不当连接而导致过高的电流和热量产生。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他便携式设备的电源管理电路兼容,可以在多种电路设计中使用。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的使用手册、应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的散热措施?
    - 解决方案:根据应用的具体情况,可以采用散热片或散热板进行散热。详细的应用指南和参数表中提供了相应的散热建议。
    2. 问题:如何正确安装和焊接MOSFET?
    - 解决方案:使用手动焊锡铁不推荐用于无引线组件。建议使用回流焊接工艺,以确保良好的电气连接。
    3. 问题:如何确定MOSFET的工作状态?
    - 解决方案:通过监控漏电流和导通电阻等参数,可以判断MOSFET的工作状态。详细的数据表和规格书中提供了这些参数的测试条件和典型值。

    总结和推荐


    N-Channel 0-V (D-S) MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率开关器件,非常适合便携式设备的负载开关应用。它的低导通电阻和无卤素设计使其成为现代电子设备的理想选择。对于需要高效率和稳定性的应用,强烈推荐使用此产品。建议在使用前详细阅读技术手册和应用指南,以确保正确使用和安装。

NTF3055-100T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 10nC@ 4.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.53V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTF3055-100T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTF3055-100T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTF3055-100T-VB NTF3055-100T-VB数据手册

NTF3055-100T-VB封装设计

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