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IRF7105TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: IRF7105TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7105TRPBF-VB

IRF7105TRPBF-VB概述

    IRF7105TRPBF N-Channel and P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7105TRPBF 是一款高性能的N-Channel和P-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET技术制造。这款MOSFET适用于多种应用场景,例如电机驱动和移动电源。其特点包括低导通电阻(RDS(on))、高电流能力和宽泛的工作温度范围,使其成为众多工业和消费电子设备的理想选择。

    技术参数


    以下为IRF7105TRPBF的技术规格:
    - VDS(漏源电压):30V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - N-Channel:0.018Ω @ VGS = 10V
    - P-Channel:0.040Ω @ VGS = -10V
    - ID(连续漏极电流):
    - N-Channel:8A @ TC = 25°C
    - P-Channel:-8A @ TC = 25°C
    - Qg(总栅极电荷):
    - N-Channel:6nC @ VDS = 20V, VGS = 10V, ID = 10A
    - P-Channel:41.5nC @ VDS = -20V, VGS = -10V, ID = -10A
    - 支持的工作环境:-55°C 至 150°C 的工作温度范围

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:N-Channel的RDS(on)低至0.018Ω,P-Channel的RDS(on)低至0.040Ω,这使得其能够高效传输电流。
    - 高可靠性:所有产品都经过Rg和UIS测试,保证了良好的耐用性。
    - 环保标准:符合RoHS指令,并且无卤素,根据IEC 61249-2-21定义。
    - 热阻抗:最高结到环境的热阻抗为50°C/W,结到引脚的热阻抗为30°C/W,有助于提高散热效果。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:IRF7105TRPBF适用于各种电机驱动应用,特别是那些需要高效转换电流的应用场景。
    - 移动电源:在移动电源中,IRF7105TRPBF可以用于电池管理,确保高效充电和放电过程。
    使用建议:
    - 确保电路板设计充分考虑到散热需求,以避免过热问题。
    - 在高电流应用中,建议采用散热片或额外的散热措施来降低温度。

    兼容性和支持


    IRF7105TRPBF与常见的SO-8封装兼容,适用于多种电路板设计。VBsemi提供技术支持和维修服务,确保用户能够顺利部署产品并解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保正确的热阻管理?
    解决办法:通过使用散热片和适当的电路板布局,确保热量有效散发。检查数据手册中的热阻参数,根据实际应用调整。

    - 问题:导通电阻对电路性能的影响?
    解决办法:由于低导通电阻特性,MOSFET在大电流时能够减少功耗,提高能效。确保电路设计中考虑RDS(on)参数,以获得最佳性能。

    总结和推荐


    IRF7105TRPBF是一款非常可靠的N-Channel和P-Channel 30V MOSFET,具有优秀的性能参数和广泛的适用范围。特别适合于需要高效电流转换和高可靠性的应用场合。鉴于其卓越的技术规格和市场竞争力,强烈推荐在相关项目中使用IRF7105TRPBF。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRF7105TRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7105TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7105TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7105TRPBF-VB IRF7105TRPBF-VB数据手册

IRF7105TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2251
100+ ¥ 1.1344
500+ ¥ 1.089
4000+ ¥ 1.0436
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