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FDC602P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TSOT-6
供应商型号: FDC602P-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDC602P-VB

FDC602P-VB概述

    FDC602P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDC602P 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有以下基本特征和用途:
    - 产品类型:P沟道增强型MOSFET
    - 主要功能:用于负载开关等应用
    - 应用领域:适用于各类电子设备中的负载开关,如通信设备、电源管理等。

    技术参数


    以下是 FDC602P 的主要技术规格:
    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 (VGS) | ± 20 | V |
    | 漏源电压 (VDS) | - 30 | V |
    | 最大持续漏电流 (ID) | - 4.8 (25°C) | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 3.0 (25°C) | W |
    | 热阻 (RthJA) | 55 (25°C) | °C/W |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.049 (VGS=-10V) | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 10 (VGS=-10V) | nC |
    | 漏极二极管的最大正向电流 (ISM) | -20 | A |

    产品特点和优势


    FDC602P 的独特功能和优势包括:
    - 低导通电阻:在栅源电压为 -10V 时,导通电阻仅为 0.049Ω,保证了较高的效率。
    - 快速开关特性:具备较低的栅极电荷和栅极电阻,确保了快速的开关速度。
    - 高可靠性:采用TrenchFET技术,增强了产品的长期稳定性和耐用性。
    - 无卤素材料:根据 IEC 61249-2-21 标准生产,确保绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    FDC602P 可以应用于各种需要高效开关控制的场合,如电源管理系统、通信设备、电机驱动器等。
    使用建议:
    - 负载开关设计:在设计负载开关时,应注意电路板布局以减少寄生电感和电容的影响,提高整体系统的稳定性。
    - 散热设计:由于 FDC602P 具有较大的功耗,合理设计散热片或采用高效的散热方法,可以确保其正常运行并延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDC602P 封装为 TSOP-6,适用于标准的表面贴装工艺,易于与其他电路集成。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品手册、样品申请、技术支持热线等,确保客户能够顺利使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的栅源电压?
    - A:通常情况下,VGS 为 -10V 到 -4.5V 之间,选择合适值时需考虑电路的工作条件和 MOSFET 的导通电阻要求。

    2. Q:如何避免热损坏?
    - A:确保适当的散热措施,例如使用散热片或改进 PCB 设计以促进热量散发。
    3. Q:如何测试 MOSFET 的栅极电荷?
    - A:使用专业的仪器如门极驱动测试仪进行测量,也可以通过公式计算总栅极电荷。

    总结和推荐


    综上所述,FDC602P 具备高性能、低损耗、高可靠性的特点,适用于多种电子应用。特别是其出色的导通特性和低功耗,使其成为许多场合的理想选择。因此,我们强烈推荐在适合的应用场景中使用 FDC602P。
    联系方式:如果您有任何疑问或需要进一步的支持,可以通过服务热线 400-655-8788 联系 VBsemi 客服团队。

FDC602P-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TSOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDC602P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDC602P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDC602P-VB FDC602P-VB数据手册

FDC602P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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