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NTR2101PT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: NTR2101PT1G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR2101PT1G-VB

NTR2101PT1G-VB概述


    产品简介


    NTR2101PT1G P-Channel 20-V MOSFET
    NTR2101PT1G 是一款P沟道MOSFET,适用于负载开关、PA开关及直流-直流转换器等应用。该产品采用SOT-23(TO-236)封装,具有低导通电阻和高效的热性能。由于其高可靠性,它广泛应用于各种电子设备中。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -20 V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - TC = 25°C 时: -5A
    - TC = 70°C 时: -4.8A
    - TA = 25°C 时: -4.5A (脉冲)
    - TA = 70°C 时: -3.5A (脉冲)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -18A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - TC = 25°C 时: 2.5W
    - TC = 70°C 时: 1.6W
    - 热阻 \( R{thJA} \): 75-100°C/W (典型值至最大值)
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - VGS = -10 V 时: 0.035Ω
    - VGS = -4.5 V 时: 0.043Ω
    - VGS = -2.5 V 时: 0.061Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 835pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 155pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - VDS = -10 V, VGS = -4.5 V 时: 10nC
    - VDS = -10 V, VGS = -2.5 V 时: 6.4nC
    - 关断延迟时间 \( td(off) \): 28-42ns
    - 开启上升时间 \( tr \): 20-30ns
    - 关闭下降时间 \( tf \): 9-18ns
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: NTR2101PT1G 的低导通电阻使其在高电流应用中表现出色,减少损耗并提高效率。
    - 高效能: 优秀的热性能确保长期稳定运行,适合各种严苛的应用环境。
    - 快速开关: 具有快速的开关速度,降低能量损失,提高系统的整体效率。
    - 符合标准: 具有低栅极电荷,符合RoHS和无卤素标准,满足环保要求。
    - 100% 测试: 每个产品都经过全面测试,确保高质量和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关: 在电源管理模块中,NTR2101PT1G 可用于控制电路中的电源通断。
    - PA开关: 在无线通信设备中,作为射频信号路径的开关。
    - 直流-直流转换器: 用于各种直流-直流转换应用,如笔记本电脑和便携式设备中的电源管理。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于该产品的热阻较大,建议采用良好的散热措施,例如增加散热片或散热器。
    - 负载选择: 使用该器件时,应考虑其电流容量和电压范围,以避免过载。
    - 环境温度: 在极端温度环境下使用时,应注意其最大工作温度限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NTR2101PT1G 与多种电子设备兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持: 提供技术支持和售后服务,包括使用指导和技术文档。用户可通过官方网站或客户服务热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定该器件的热管理是否足够?
    - A: 通过监测器件的温度和热阻,确保在最高工作温度下不超过允许的最大功耗。
    - Q: 该器件在高温环境下的性能如何?
    - A: 在高温环境下,需特别注意热管理和散热措施,确保器件工作在安全范围内。
    - Q: 如何测试器件的导通电阻?
    - A: 可使用万用表测量栅极-源极电压(VGS)和漏极电流(ID),通过计算得出导通电阻。

    总结和推荐


    综合评估:
    - NTR2101PT1G是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、高效能、快速开关等优点。
    - 在负载开关、PA开关及直流-直流转换器等应用中表现出色。
    - 提供了良好的兼容性和全面的技术支持。
    推荐:
    - 强烈推荐该产品,尤其适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

NTR2101PT1G-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
栅极电荷 6.4nC@ 2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTR2101PT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR2101PT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTR2101PT1G-VB NTR2101PT1G-VB数据手册

NTR2101PT1G-VB封装设计

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500+ ¥ 0.207
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