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2SJ177-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO-220F
供应商型号: 2SJ177-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ177-VB

2SJ177-VB概述

    # 2SJ177-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SJ177-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET器件,适用于多种高功率电子应用。此产品具有高可靠性及高效能的特点,其主要功能是实现电流的控制和信号放大,广泛应用于开关电源、电机驱动、汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是2SJ177-VB的关键技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大值) | -60 | V |
    | 门源电压(最大值) | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(最大值) | -30 | A |
    | 脉冲漏极电流(最大值) | -100 | A |
    | 开启状态漏极电流(典型值) | -30 | A |
    | 开启状态漏源电阻(典型值) | -0.050(VGS=-10V时) | Ω |
    | 开启状态漏源电阻(典型值) | -0.060(VGS=-4.5V时) | Ω |
    | 输入电容(典型值) | 1765 | pF |
    | 输出电容(典型值) | 230 | pF |
    | 反向转移电容(典型值) | 180 | pF |
    | 总栅极电荷(典型值) | 67 | nC |
    | 栅源电荷(典型值) | 13.5 | nC |
    | 栅漏电荷(典型值) | 14 | nC |
    | 热阻(结至环境) | 60 | °C/W |
    | 操作温度范围 | -55到150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:开启状态下的漏源电阻仅为0.050Ω(VGS=-10V),使得在高电流下也能保持低损耗。
    2. 高可靠性:符合IEC 61249-2-21标准,确保无卤素。
    3. 高耐压能力:最大漏源电压可达-60V,适合于高电压应用。
    4. 优异的热性能:热阻仅为60°C/W,能够在高温环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    2SJ177-VB 主要应用于工业自动化、电力转换和控制系统中。例如,在开关电源中可以作为主控开关管,以实现高效的电源转换;在电机驱动电路中,用于控制电机的启动和停止。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,建议确保漏源电压不超过-60V,以避免过高的反向电压对器件造成损害。
    2. 需要特别注意散热问题,特别是在高电流条件下,适当的散热措施有助于提高产品的可靠性和寿命。
    3. 遵循正确的焊接规范,以保证良好的电气连接和机械稳定性。

    兼容性和支持


    2SJ177-VB 采用TO-220封装,具备良好的兼容性,可轻松替换市场上常见的同类型号。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,包括产品使用指南和故障排查手册。如需更多帮助,可通过官方客服电话400-655-8788联系VBsemi的工程师。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热异常
    - 解决方案:检查是否有良好的散热设计,确保安装在合适的散热片上,并且避免在高温环境下长时间使用。
    2. 问题:器件无法正常导通
    - 解决方案:确认输入电压是否在规定范围内,并检查电路是否有断路或接触不良的情况。
    3. 问题:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查负载情况,确保没有超过器件的最大允许电流。同时,检查电路板的布局和焊接质量,以排除潜在的故障点。

    总结和推荐


    2SJ177-VB P-Channel MOSFET是一款高度可靠的电子元器件,尤其适用于高电压、大电流的应用场景。其低导通电阻和高耐压能力使其成为许多工业应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能电子元器件的工程师和技术人员。
    通过本文档的详细描述,我们相信用户能够充分了解2SJ177-VB的功能特性和适用范围,并能在实际应用中发挥其最大的效能。

2SJ177-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SJ177-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ177-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ177-VB 2SJ177-VB数据手册

2SJ177-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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