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RFD14N05LSM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: 14M-RFD14N05LSM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RFD14N05LSM-VB

RFD14N05LSM-VB概述

    RFD14N05LSM N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RFD14N05LSM 是一种采用 TrenchFET® 技术的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要应用于直流到直流转换器、直流到交流逆变器以及电机驱动等领域。它具备低导通电阻和高电流承载能力的特点,使其成为高效能电力转换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 RFD14N05LSM 的主要技术参数和技术规格:
    - 电压特性:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - \( TC = 25^\circ C \): 18 A
    - \( TC = 70^\circ C \): 14 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 25 A
    - 雪崩电流 \( I{AS} \): 15 A
    - 单次雪崩能量 \( E{AS} \): 11.25 mJ
    - 静态特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10\, V \), \( ID = 6.6\, A \): 0.073 Ω
    - \( V{GS} = 4.5\, V \), \( ID = 6\, A \): 0.085 Ω
    - 开启状态下漏极电流 \( I{D(on)} \): 20 A
    - 转导电导 \( g{fs} \):
    - \( V{DS} = 15\, V \), \( ID = 6.6\, A \): 25 S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 660 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 85 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 40 pF
    - 动态特性:
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = 30\, V \), \( V{GS} = 10\, V \), \( ID = 6.6\, A \): 19.8 nC
    - 栅极电阻 \( Rg \): 2 Ω (f = 1 MHz)
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 8-16 ns
    - 上升时间 \( tr \): 11-20 ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): 18-27 ns
    - 下降时间 \( tf \): 5-10 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100% \( Rg \) 和 UIS 测试。
    - 低导通电阻:在不同工作条件下,具有较低的 \( R{DS(on)} \),确保高效率。
    - 低门极泄漏:在极端条件下也具有出色的稳定性。
    - 优秀的热性能:\( R{thJA} \) 为 60 °C/W,可以有效散热,保证长期稳定运行。
    - 符合材料分类标准:RoHS 合规,无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:用于电源管理模块,以实现高效能的电压转换。
    - 直流到交流逆变器:适用于太阳能发电系统中的逆变环节,提高转换效率。
    - 电机驱动:如家电、工业设备中的电机控制,确保电机平稳运行。
    使用建议:
    - 散热设计:在高温环境下使用时,确保良好的散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 电路保护:增加保护电路以防止过载、短路等情况,延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:TO-252 封装,易于安装和焊接。
    - 厂商支持:VBsemi 提供详细的用户指南和技术支持,包括在线资源和客服热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定 MOSFET 的合适栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择合适的栅极电阻,通常在 1 Ω 到 10 Ω 之间。参考厂商提供的典型值进行调整。

    - 问题二:如何处理过高的漏源电压?
    - 解决方案:增加外部限流电阻或使用额外的保护二极管来防止过高的 \( V{DS} \)。

    7. 总结和推荐


    优点总结:
    - 低导通电阻:显著降低功率损耗。
    - 高可靠性:通过多项测试,确保长时间稳定运行。
    - 优良的散热设计:有效防止过热现象。
    - 环保材料:符合 RoHS 和无卤素标准。
    总体评价:RFD14N05LSM 在电力转换领域表现优异,非常适合需要高效能和可靠性的应用。我们强烈推荐在适合的应用中使用此款 MOSFET,以实现最佳性能。

RFD14N05LSM-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
栅极电荷 19.8nC@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RFD14N05LSM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RFD14N05LSM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RFD14N05LSM-VB RFD14N05LSM-VB数据手册

RFD14N05LSM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.9696
10+ ¥ 1.8538
30+ ¥ 1.6545
100+ ¥ 1.2397
2500+ ¥ 1.1934
7500+ ¥ 1.1586
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型号 价格(含增值税)
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