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2SK2925-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252 用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: 2SK2925-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2925-VB

2SK2925-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60V (D-S) MOSFET 是一款基于 TrenchFET 技术的高性能功率 MOSFET,专为高效率和低功耗应用设计。它广泛应用于直流到直流转换器(DC/DC 转换器)、直流到交流逆变器(DC/AC Inverters)以及电机驱动系统等领域。这款器件特别适用于占空比 ≤1% 的高压应用,并需根据电压降额曲线进行操作。同时,它通过了所有 Rg 和 UIS 测试,确保了高度的可靠性和稳定性。

    技术参数


    以下为该产品的核心技术参数及性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 60 | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 3.0 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.073 Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V)| RDS(on) 0.085 Ω |
    | 最大漏极电流(连续)| ID 18 | A |
    | 最大栅极电荷 | Qg | 19.8 30 | nC |
    | 输入电容 | Ciss 660 pF |
    | 输出电容 | Coss 85 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 40 pF |
    工作环境参数如下:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大工作结温:150°C
    - 热阻抗(结至环境):60°C/W

    产品特点和优势


    该器件的主要特点是采用了先进的 TrenchFET 技术,显著降低了导通电阻和开关损耗,从而提升了整体能效。具体优势包括:
    1. 高效率:超低的导通电阻(RDS(on))在典型工作条件下可实现高效率运行。
    2. 可靠性:经过严格的 UIS 和 Rg 测试,确保在极端工作条件下的稳定表现。
    3. 易用性:提供直观的 TO-252 封装,适合多种应用场景。
    4. 多功能性:广泛适用于 DC/DC 转换器、电机驱动及逆变器等高压大电流场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:利用其低导通电阻特性,优化转换效率。
    - 电机驱动:结合优异的动态特性,实现高效力矩控制。
    - 逆变器系统:配合快速开关能力,降低电磁干扰(EMI)并提高稳定性。
    使用建议
    1. 电路设计优化:为了减少导通损耗,建议选用较低的 VGS 电压(如 4.5V),以保持最佳的导通电阻。
    2. 散热管理:由于高电流工作可能产生热量,应设计良好的散热路径以确保长期可靠性。
    3. 测试验证:务必对产品进行充分的 UIS 和雪崩测试,确认在极端条件下的耐用性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件支持标准 TO-252 封装,与多数 PCB 板设计兼容。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档及全面的技术支持服务,帮助客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻偏高。
    - 解决方法:检查工作电压是否满足最低阈值要求;尝试增加栅极驱动电压至 10V。
    2. 问题:栅极电荷过大导致发热严重。
    - 解决方法:降低开关频率或使用更高效的驱动电路以减少动态损耗。
    3. 问题:器件失效或损坏。
    - 解决方法:重新评估系统工作条件,确保符合绝对最大额定值限制。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 60V (D-S) MOSFET 在技术参数、性能指标及适用范围方面表现出色。凭借其先进的 TrenchFET 技术和高可靠性设计,它无疑是 DC/DC 转换器、逆变器和电机驱动系统的理想选择。对于需要高效率和长寿命的应用场景,我们强烈推荐此款产品。
    推荐指数:★★★★★(满分五星)

2SK2925-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2925-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2925-VB数据手册

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2SK2925-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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