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WPM2341-3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: WPM2341-3-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM2341-3-VB

WPM2341-3-VB概述

    WPM2341-3 P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    WPM2341-3 是一款 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于负载开关和功率放大器开关。其额定电压为 20V(D-S),额定电流为 5A。这款 MOSFET 适用于多种电路设计,如直流到直流转换器、电源管理电路和其他需要高效开关控制的应用场合。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):20V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \):±12V
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \):18A
    - 连续漏电流 \( I{D} \):
    - 在 \( TA = 25^{\circ}C \) 时:5A
    - 在 \( TA = 70^{\circ}C \) 时:3.5A
    - 最大耗散功率 \( PD \):
    - 在 \( TA = 25^{\circ}C \) 时:2.5W
    - 在 \( TA = 70^{\circ}C \) 时:1.6W
    - 绝对最大额定温度范围 \( T{J}, T{stg} \):-55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):20V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10V \),\( I{D} = -5.1A \) 时:0.035Ω
    - 在 \( V{GS} = -4.5V \),\( I{D} = -4.5A \) 时:0.043Ω
    - 在 \( V{GS} = -2.5V \),\( I{D} = -3.7A \) 时:0.061Ω
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):-0.5V 至 -1.5V
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \):835pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):180pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):155pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{DS} = -10V \),\( V{GS} = -4.5V \),\( I{D} = -5.1A \) 时:10nC
    - 在 \( V{DS} = -10V \),\( V{GS} = -2.5V \),\( I{D} = -5.1A \) 时:6.4nC
    - 热参数
    - 最大结壳热阻 \( R{thJA} \):75°C/W(典型值)
    - 最大结脚(漏)稳态热阻 \( R{thJF} \):40°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    WPM2341-3 的显著特点是其 TrenchFET® 功率 MOSFET 架构,使得其具有低导通电阻和高电流处理能力。该产品还具备无卤素材料,并符合 RoHS 规范。此外,所有 MOSFET 都经过 100% 阻抗测试,确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要快速开关和低损耗的应用场景。
    - PA 开关:适用于射频放大器,提供高效的开关控制。
    - 直流到直流转换器:用于调节电压,保持输出稳定。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局合理,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 使用足够的散热措施,特别是在高电流条件下。
    - 在低温环境下使用时,需注意其电流和功率限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准的 SOT-23 封装 PCB 设计。
    - 支持:供应商提供详细的安装指南和技术支持文档,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:产品在高温下工作不稳定。
    - 解决方案:确保使用有效的散热措施,如增加散热片或改善通风条件。

    - 问题 2:漏源电压超过额定值。
    - 解决方案:检查电路设计,确保 \( V{DS} \) 不超出 20V 的额定值。

    总结和推荐


    WPM2341-3 P-Channel MOSFET 在多个方面表现出色,特别是在其低导通电阻和高效的开关性能上。其在负载开关和电源管理应用中的表现尤为出色。结合其无卤素和 RoHS 合规的特点,使其成为一种可靠且环保的选择。对于需要高效开关控制的应用场景,强烈推荐使用此产品。

WPM2341-3-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
通道数量 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WPM2341-3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM2341-3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM2341-3-VB WPM2341-3-VB数据手册

WPM2341-3-VB封装设计

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