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IRFR3910TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3910TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3910TR-VB

IRFR3910TR-VB概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel 100 V MOSFET

    产品简介


    本手册详细介绍了一款型号为IRFR3910TR的N沟道100 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款电子元器件主要应用于开关电源、电机驱动等需要高效功率控制的场合,是一款理想的初级侧开关器件。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):100 V
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 电流参数:
    - 漏极连续电流(ID):3 A @ TC=25 °C
    - 单脉冲峰值电流(IDM):40 A
    - 源极连续电流(IS):3 A
    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - 0.055 Ω @ VGS = 10 V, ID = 3 A
    - 0.140 Ω @ VGS = 10 V, ID = 3 A, TJ = 175 °C
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):950 pF
    - 输出电容(Coss):120 pF
    - 反向转移电容(Crss):60 pF
    - 栅极参数:
    - 总栅极电荷(Qg):24 nC @ VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 3 A
    - 栅源电荷(Qgs):8 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):12 nC
    - 栅阻(Rg):0.5 ~ 2.9 Ω
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间(td(on)):15 ~ 25 ns
    - 上升时间(tr):50 ~ 75 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):30 ~ 45 ns
    - 下降时间(tf):60 ~ 90 ns
    - 绝对最大额定值:
    - 结温(TJ):-55 °C 至 175 °C
    - 最大功率耗散(PD):96 W @ TC = 25 °C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:可在175°C结温条件下稳定工作。
    2. PWM优化:适用于PWM(脉宽调制)信号。
    3. 符合RoHS标准:无铅,环保材料。
    4. 高效的热管理:具有低RDS(on),确保较低的功耗和良好的散热效果。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRFR3910TR广泛应用于各种开关电源、电机驱动等领域。例如,在一个100 V电源设计中,它能作为初级侧开关,提供稳定高效的电流控制。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中要保证电路板布局合理,以提高散热效果。
    - 考虑到高结温的工作条件,建议采用良好的散热措施,如增加散热片或风冷装置。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适合多种电路设计,可与常见的控制器和驱动电路兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确连接电路?
    - 解决方案:根据产品数据手册,正确接线,避免错误连接导致损坏。
    - 问题2:为什么器件发热严重?
    - 解决方案:检查电路负载情况,确保没有过载现象;考虑改善散热方式,如加装散热片。

    总结和推荐


    总结:IRFR3910TR以其高效、可靠的性能,适用于多种功率控制场景,特别适合需要高可靠性且能在恶劣环境下工作的应用。
    推荐:强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用该产品,特别是在电力电子系统设计中。

IRFR3910TR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3910TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3910TR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3910TR-VB IRFR3910TR-VB数据手册

IRFR3910TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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