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NTZD3155CT2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,0.6/-0.3A,RDS(ON),270/660mΩ@4.5V,410/840mΩ@2.5V,12Vgs(±V);±0.7~±2Vth(V) 封装:SC75-6
供应商型号: NTZD3155CT2G-VB SC75-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTZD3155CT2G-VB

NTZD3155CT2G-VB概述

    NTZD3155CT2G 半导体功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTZD3155CT2G 是一款高性能的半导体功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),包含 N 沟道和 P 沟道两种类型。这类器件被广泛应用于电源转换、驱动电路以及各种需要高效率电力管理的应用中。N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 的结合使得器件具备更宽的工作范围和更高的可靠性。

    2. 技术参数


    - 电压参数:VDS 额定值为 20V,可用于多种低压应用。
    - 电流参数:N 沟道最大连续漏极电流 ID 为 0.6A,P 沟道最大连续漏极电流 ID 为 0.3A。
    - 电阻参数:N 沟道在 VGS=4.5V 时的导通电阻 RDS(on) 为 0.270Ω,P 沟道在 VGS=-4.5V 时的导通电阻 RDS(on) 为 0.660Ω。
    - 温度范围:工作温度范围从 -55°C 到 150°C,满足恶劣环境下的工作需求。
    - 封装:采用 SC-75-6 封装形式,体积小且便于表面安装。
    - 其他电气特性:包括零栅极电压漏极电流 IDSS、门体泄漏电流 IGSS 等。

    3. 产品特点和优势


    - 绿色环保:符合 RoHS 和无卤素标准,保证了环保和健康要求。
    - 高可靠性:所有参数都经过 100% 测试,确保每个器件都能正常工作。
    - 优异的热性能:热阻 RthJA 最大为 110°C/W,保证了长期稳定运行。
    - 多功能性:集成 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,适用多种复杂应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:NTZD3155CT2G 在开关电源中的应用非常普遍,尤其适合用于直流到直流转换器中。
    - 电机控制:作为电机驱动中的开关器件,能够有效提高系统的整体效率。
    - 电源管理系统:在电源管理模块中,用于实现精确的电压和电流控制。
    - 使用建议:考虑到该器件的高功耗特性,在设计系统时应注意散热问题,以防止过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTZD3155CT2G 与多种标准 PCB 设计兼容,可以方便地进行集成。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 公司提供了详尽的技术支持和售后服务,客户可以通过 400-655-8788 热线联系技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机后 MOSFET 发热量过大。
    - 解决方法:检查散热措施是否到位,可能需要增加散热片或风扇。
    - 问题2:MOSFET 无法正常导通。
    - 解决方法:检查栅极电压是否达到阈值电压,适当调整输入信号。
    - 问题3:器件出现短路现象。
    - 解决方法:检查外围电路是否有短路情况,排查外部故障源。

    7. 总结和推荐


    NTZD3155CT2G 作为一款高性能的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组合,具备广泛的适用性和出色的可靠性,特别适用于需要高效电力管理和复杂电路设计的应用场合。在选择合适的电力管理方案时,推荐使用这款器件,以实现最佳的系统性能和稳定性。

NTZD3155CT2G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±700mV~±2V
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
Id-连续漏极电流 600mA,300mA
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270/660mΩ@4.5V,410/840mΩ@2.5V
FET类型 N+P沟道
通用封装 SC-75-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTZD3155CT2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTZD3155CT2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTZD3155CT2G-VB NTZD3155CT2G-VB数据手册

NTZD3155CT2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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