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WNM2020-3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: WNM2020-3-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM2020-3-VB

WNM2020-3-VB概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款N沟道20 V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于直流到直流转换器及便携式应用中的负载开关。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,确保了高效率和可靠性。其广泛应用于消费电子、工业自动化以及汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 20 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | - | 0.45 | 1.0 | V |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | - | - | 10 | µA |
    | 开态漏电流 | ID(on) | - | 20 | - | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.028 | - | Ω |
    | 门电荷 | Qg | - | 8.8 | 18 | nC |
    | 单脉冲耗散功率 | PD | - | 2.1 | W |
    | 绝对最大温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,采用无卤素材料设计。
    - 高可靠性测试:所有批次均进行100% Rg测试。
    - 低导通电阻:在不同电压下均具有出色的导通电阻表现,保证了低功耗和高效率。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作。
    - 优越的热阻性能:保证了在高温环境下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器:利用其低RDS(on)和高ID(on),非常适合用于电池供电设备中的高效转换器。
    - 负载开关:在便携式设备中作为负载开关使用,可以有效地控制电流流动。
    - 安全操作区:确保在极限条件下依然保持可靠的性能,如单脉冲功率和热阻管理。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热设计,特别是在大电流应用中,以防止过热。
    - 根据应用要求选择合适的栅极驱动电压,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种标准封装(如SOT-23),便于集成到各种电路板设计中。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够快速解决问题并进行产品优化。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 导通电阻过高 | 检查是否正确选择了栅极驱动电压,确保符合数据表中的要求。 |
    | 过热现象 | 加强散热措施,如增加散热片或外部冷却装置。 |
    | 开关损耗大 | 调整电路布局,减少引线长度,减小杂散电感的影响。 |

    7. 总结和推荐


    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET凭借其优秀的导通电阻、低栅极电荷和宽泛的工作温度范围,在多种应用场合中展现出色的性能。其无卤素材料和100% Rg测试保证了高度的可靠性和环保特性。我们强烈推荐在高效率直流转换器和便携式设备中使用此款MOSFET。

WNM2020-3-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 8V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM2020-3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM2020-3-VB数据手册

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WNM2020-3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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