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IRFR3707ZTR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3707ZTR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3707ZTR-VB

IRFR3707ZTR-VB概述


    产品简介


    产品名称:N-Channel 30-V MOSFET
    产品类型:功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:通过栅极控制源极与漏极之间的导通状态
    应用领域:适用于电源管理、服务器、DC/DC转换器等领域,尤其在OR-ing应用中表现优异

    技术参数


    | 参数 | 标称值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | 30 | - | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 | - | V |
    | 连续漏电流(TJ = 175 °C) | 25.8 | 90 | A |
    | 脉冲漏电流(IMD) | - | 250 | A |
    | 雪崩电流(IAS) | - | 39 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | 94.8 | mJ |
    | 最大热阻(RthJA) | 32 | 40 | °C/W |
    | 最大结到外壳热阻(RthJC) | 0.5 | 0.6 | °C/W |
    | 最小栅源阈值电压(VGS(th)) | 1.0 | 2.5 | V |
    | 栅源泄漏电流(IGSS) | ±100 | nA |
    | 击穿电压(VDS) | 30 | V |
    | 开态漏源电阻(RDS(on)) | 0.005 | 0.006 | Ω |
    | 转移电容(Crss) | 270 | - | pF |

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽结构,提高器件的开关速度和可靠性。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品在生产和测试阶段的质量稳定性。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,适用于环保要求严格的行业。
    - 高耐温范围:工作温度范围从-55°C到175°C,适合多种恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing应用:在电源系统中作为开关器件,确保电源供应的稳定性和可靠性。
    - 服务器:在数据中心的电源管理系统中用于提高能效和热管理。
    - DC/DC转换器:作为主控开关器件,用于高效电力转换。
    使用建议
    - 散热设计:在高电流应用场合,需考虑外部散热措施,如散热片或风扇。
    - 布线布局:保持栅极走线尽可能短,减少寄生电感的影响。
    - 驱动电路设计:适当匹配栅极电阻,避免高频振荡,提高开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品可与常见的主板、控制器和其他电子设备兼容,方便集成。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和客户支持服务,帮助用户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下运行时发热严重。
    - 解决方法:增加外部散热措施,如散热片或散热风扇,确保良好的热管理。
    2. 问题:开关速度慢。
    - 解决方法:检查栅极电阻匹配,适当减小电阻以提高开关速度。
    3. 问题:出现振铃现象。
    - 解决方法:优化PCB布线,缩短栅极走线长度,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    总结:这款N-Channel 30-V MOSFET具有卓越的性能和可靠度,广泛适用于各种高要求的应用场景,如电源管理、服务器和DC/DC转换器等。通过先进的TrenchFET技术,显著提高了开关速度和效率。
    推荐:我们强烈推荐这款产品,尤其是对于需要高效能和可靠性的应用场景。制造商提供的详细技术文档和支持服务,使得用户能够轻松上手并进行优化配置。

IRFR3707ZTR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3707ZTR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3707ZTR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3707ZTR-VB IRFR3707ZTR-VB数据手册

IRFR3707ZTR-VB封装设计

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100+ ¥ 1.2606
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2500+ ¥ 1.1597
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