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PHD78NQ03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: PHD78NQ03L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHD78NQ03L-VB

PHD78NQ03L-VB概述

    PHD78NQ03L N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    PHD78NQ03L 是一款高性能的N沟道30伏特(漏-源)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品广泛应用于电源管理、服务器和直流到直流转换器等领域。其独特的TrenchFET® Power MOSFET架构使其具有优异的导通电阻和开关速度,能够满足高效率和高可靠性要求。

    技术参数


    - 漏-源电压 (VDS): 30V
    - 栅-源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):
    - TC = 25°C 时: 60A
    - TC = 70°C 时: 25.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 250A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 205W
    - 热阻 (最大Junction-to-Ambient): 32°C/W
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): VDS = 30V, VGS = 0V 时 1µA
    - 导通状态漏-源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 38.8A 时: 0.005Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 37A 时: 0.006Ω
    - 输入电容 (Ciss): 525pF
    - 输出电容 (Coss): 110pF
    - 反向传输电容 (Crss): 270pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 38.8A 时: 61-107nC
    - 栅极电阻 (Rg): 1.4-2.1Ω
    - 导通延时时间 (td(on)): 18-27ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 70-105ns

    产品特点和优势


    PHD78NQ03L 的主要优势包括:
    - 高效的导通电阻 (RDS(on)): 在高栅极电压下,其导通电阻仅为0.005Ω,大大减少了功耗,提高了能效。
    - 高速开关性能: 快速的开关时间和低延迟时间使其非常适合高频应用。
    - 高可靠性: 100% Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和长期稳定性。
    - 环保设计: 符合RoHS指令,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing: 在服务器和直流到直流转换器中,用于实现高效的电源切换和管理。
    - 电源管理和直流到直流转换器: 利用其低导通电阻和快速开关性能,实现高效电源管理。
    使用建议:
    - 散热管理: 确保电路板的良好散热设计,以维持其最佳工作温度。
    - 布局设计: 避免高电流回路引起的干扰,确保信号完整性和稳定运行。

    兼容性和支持


    PHD78NQ03L 与标准的TO-252封装兼容,可直接替换市场上常见的同类产品。厂商提供详尽的技术支持,包括应用指南和设计文档,帮助客户更好地利用其功能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增大 | 检查是否超出额定工作温度范围,必要时添加散热片 |
    | 开关速度缓慢 | 检查栅极电阻值,确保在推荐范围内 |

    总结和推荐


    PHD78NQ03L N-Channel 30-V MOSFET 在多个方面表现出色,特别是在其高能效和快速开关性能方面。其广泛的应用范围和可靠的性能使其成为电源管理和服务器领域的理想选择。我们强烈推荐这款产品,尤其是在需要高能效和高可靠性应用场景中。

PHD78NQ03L-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 31.5nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PHD78NQ03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHD78NQ03L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHD78NQ03L-VB PHD78NQ03L-VB数据手册

PHD78NQ03L-VB封装设计

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