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HAF2002-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: HAF2002-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HAF2002-VB

HAF2002-VB概述

    HAF2002-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    HAF2002-VB 是一款高可靠性的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET的主要功能是在电力电子系统中作为开关使用,适用于多种应用场合,如工业控制、电源转换、电机驱动等。

    技术参数


    - 电气参数
    - 额定电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 最大栅极源极电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 \( ID \): 45 A(\( TC \) = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 220 A(脉冲宽度≤300 μs,占空比≤2%)
    - 热阻抗 \( R{thJC} \): 3.1°C/W(最大)
    - 最大耗散功率 \( PD \): 52 W(\( TC \) = 25°C)
    - 击穿电压 \( V{DS} \): 60 V(\( ID \) = 250 μA)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.027 Ω(\( V{GS} \) = 10 V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 95 nC(最大)
    - 热特性
    - 最大结温 \( TJ \): 175°C
    - 最大存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 到 +175°C
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 65°C/W(最大)

    产品特点和优势


    HAF2002-VB 的特点包括:
    - 高电压隔离:隔离包能够承受高达 2.5 kVRMS(在 60 Hz 条件下)。
    - 低热阻:导热性能良好,有助于提高可靠性。
    - 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内稳定工作。
    - 动态 dv/dt 评级:可承受高瞬态电压变化。
    - 无铅封装:符合 RoHS 标准,环保友好。
    这些特点使得 HAF2002-VB 在各种恶劣环境下表现出色,具有广泛的应用潜力。

    应用案例和使用建议


    HAF2002-VB 广泛应用于工业控制、电机驱动、电源转换等领域。例如,在电源转换中,它可以作为开关元件来控制电流的流动。具体使用建议如下:
    - 在高温环境中使用时,应注意散热设计以避免热过载。
    - 对于高电流应用场景,确保外部电路有足够的冷却措施。
    - 使用示波器等工具监测器件的开关状态,确保其在工作范围内正常运行。

    兼容性和支持


    HAF2002-VB 支持标准的 TO-220 全包封装,易于安装和替换。VBsemi 公司提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助用户解决应用中的问题。此外,公司还提供全面的质保服务,确保用户的长期利益。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下运行不稳定。
    - 解决办法:增加散热装置,如散热片或风扇,以降低工作温度。
    2. 问题:电流波动较大,导致器件发热严重。
    - 解决办法:检查外部电路,确保电流平稳;增加外部电容以减少电流纹波。
    3. 问题:器件工作寿命短。
    - 解决办法:定期进行检测和维护,确保其在安全的工作条件下运行。

    总结和推荐


    HAF2002-VB N-Channel 60V MOSFET 具有出色的性能和广泛应用前景。它的高电压隔离、低热阻、宽工作温度范围等优势使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的场合使用 HAF2002-VB。如需进一步了解或购买,请联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

HAF2002-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 45A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HAF2002-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HAF2002-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HAF2002-VB HAF2002-VB数据手册

HAF2002-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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