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IRF540N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: 14M-IRF540N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF540N-VB

IRF540N-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效率、高性能的功率管理器件。它属于N沟道类型,主要用于电源管理和电力转换等领域。此MOSFET具备高阈值电压、低导通电阻、以及宽泛的工作温度范围,适用于各种高要求的工业及消费电子产品。

    技术参数


    - 额定电压(V(BR)DSS):100V
    - 漏极-源极导通电阻(rDS(on)):
    - 在VGS = 10 V,ID = 5 A时为0.032Ω
    - 在VGS = 4.5 V,ID = 3 A时为0.0Ω
    - 在TJ = 125 °C时为0.050Ω
    - 在TJ = 175 °C时为0.065Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在TJ = 25 °C时为45 A
    - 在TJ = 125 °C时为30 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):35 A
    - 重复雪崩能量(EAR):61 mJ
    - 最大耗散功率(PD):
    - 在TJ = 25 °C时为127 W
    - 在TA = 25 °C时为3.75 W
    - 热阻(RthJA):40 °C/W
    - 最大操作结温(TJ):-55至175 °C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:该MOSFET设计能够承受高达175 °C的结温,确保了在极端环境下的可靠运行。
    2. 低热阻:具有较低的热阻,有助于热量更有效地散发,从而提高系统的稳定性和寿命。
    3. 低导通电阻:低rDS(on)值意味着较低的损耗和较高的效率,适用于高功率转换场合。
    4. 高电流处理能力:能承受较大的连续和脉冲电流,适合高负载应用。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:在高频开关电源中,IRF540N能有效降低损耗,提升系统效率。
    2. 马达控制:作为电机控制器的核心组件,提供快速、精确的电流控制。
    3. 电源逆变器:用于太阳能逆变器等电源逆变系统,提供高效率的电能转换。

    兼容性和支持


    - 该产品采用标准TO-220AB封装,易于集成到现有系统中。可与其他常见的直流-交流逆变器和直流-直流转换器配合使用。
    - 厂商提供了全面的技术支持,包括详细的使用手册、应用指南和技术文档,以及专业的客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超过极限怎么办?
    - 解决方案:确保安装散热片以提高散热效率。如果温度依然过高,请考虑使用更高热阻的产品或优化电路设计。
    2. 问题:如何优化开关频率?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻和匹配电容以减少开关损耗。优化电路布局,减小引线电感,可以进一步提升效率。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF540N N-Channel 100-V MOSFET 是一款性能卓越的电子元器件,其在高功率应用中的表现尤为出色。低导通电阻、高耐温能力和低热阻使其成为电源管理和电力转换领域的理想选择。同时,其良好的兼容性和厂家提供的技术支持也大大增加了产品的实用性。
    推荐结论:
    鉴于其出色的性能和广泛应用领域,强烈推荐IRF540N N-Channel 100-V MOSFET 给需要高效率、高可靠性的电力管理系统的设计者和工程师。

IRF540N-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 55A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF540N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF540N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF540N-VB IRF540N-VB数据手册

IRF540N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.0523
10+ ¥ 3.8139
30+ ¥ 3.4039
100+ ¥ 2.5506
1000+ ¥ 2.4552
3000+ ¥ 2.3837
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型号 价格(含增值税)
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15N10 ¥ 0.336