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UT6898G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,10A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT6898G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT6898G-S08-R-VB

UT6898G-S08-R-VB概述

    Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性、符合环保标准的电子元器件。它采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术制造,适用于多种应用领域,包括机顶盒和低电流 DC/DC 转换器。该器件具有良好的热性能和高效的电性能,适用于各种功率管理和控制应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 20 V
    - 持续漏电流 (ID): 10 A @ TC = 25°C, 7.0 A @ TC = 70°C
    - 脉冲漏电流 (IDM): 44 A
    - 源极-漏极二极管持续电流 (IS): 3.25 A @ TC = 25°C
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 6 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.45 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 2.7 W @ TC = 25°C, 1.77 W @ TC = 70°C
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 58°C/W @ TC ≤ 10s, 70°C/W @ TC > 10s
    - 最大结到脚(漏)热阻 (RthJF): 38°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 20 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.5 V 到 1.0 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1 µA @ VDS = 20 V, VGS = 0 V
    - 开态漏电流 (ID(on)): 10 A @ VDS ≥ 5 V, VGS = 4.5 V
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)): 0.009 Ω @ VGS = 4.5 V, 0.012 Ω @ VGS = 2.5 V
    - 输入电容 (Ciss): 586 pF
    - 输出电容 (Coss): 117 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 55 pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 3.7 nC @ VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 5 A
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 1.05 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12 ns @ VDD = 10 V, RL = 3 Ω
    - 上升时间 (tr): 55 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 11 ns
    - 下降时间 (tf): 8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 环保设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,无卤素。
    - 高性能:采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术,确保低导通电阻和高电流处理能力。
    - 高可靠性:100% UIS 测试和 100% Rg 测试,保证产品质量。
    - 多功能性:适用于低电流 DC/DC 转换器和机顶盒等应用,具备广泛的应用范围。
    - 安全性:提供全面的安全保护,包括过压和过流保护。

    4. 应用案例和使用建议


    - 机顶盒:作为电源管理的一部分,用于高效能的电压转换和电流控制。
    - 低电流 DC/DC 转换器:用于提高电源效率和减少热量产生,特别是在低功耗应用中。

    使用建议:
    - 确保 PCB 设计合理,保持足够的散热面积以避免因过热而影响性能。
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以防止热失控。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与标准 SO-8 封装兼容,可以方便地安装在 1" x 1" FR4 板上。
    - 支持:供应商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的数据手册和技术文档,以及客户技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致器件失效。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,增加散热片或风扇来降低器件工作温度。
    - 问题2:电流过大导致烧毁。
    - 解决方案:检查电路设计,确保电流限制和保护措施到位。

    7. 总结和推荐


    Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一款高度可靠的电子元器件,适用于多种应用场景。其独特的环保设计、高性能和多功能性使其在市场上具有较强的竞争力。推荐在需要高效能、低功耗和良好散热性能的应用中使用该产品。

UT6898G-S08-R-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT6898G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT6898G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT6898G-S08-R-VB UT6898G-S08-R-VB数据手册

UT6898G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.4579
100+ ¥ 1.35
500+ ¥ 1.296
4000+ ¥ 1.242
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