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GTT8205S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.5Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: GTT8205S-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) GTT8205S-VB

GTT8205S-VB概述

    Dual N-Channel MOSFET GTT8205S 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel MOSFET(双N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)GTT8205S 是一种高性能的电子元器件,适用于各种电力管理和转换应用。该产品采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有低导通电阻和高电流承载能力,特别适合于开关电源、电机驱动、逆变器和电池管理系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 20 | - | V |
    | 导通电阻(4.5V) | RDS(on) | - | 0.024 | - | Ω |
    | 导通电阻(2.5V) | RDS(on) | - | 0.028 | - | Ω |
    | 持续漏极电流(Ta=25°C) | ID | - | 6.0 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 30 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 1.5 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在4.5V下,RDS(on) 仅为0.024Ω;在2.5V下为0.028Ω,能够显著降低损耗,提高效率。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®工艺,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环保选项:提供无卤素选项,符合RoHS标准,满足环保要求。
    - 大电流承载能力:连续漏极电流可达6A,脉冲漏极电流高达30A,适用于多种高压大电流应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:GTT8205S 可以用于高频开关电源中,替代传统的分立器件,简化电路设计,提高系统整体效率。
    - 电机驱动:在电动机驱动系统中,可以实现快速响应和高效控制,特别是在需要频繁启停的应用场景中。
    - 逆变器:适用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)等,通过其高效导通特性和大电流承载能力,有效提升逆变器的整体性能。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应根据具体的应用需求选择合适的栅极电阻(Rg),以保证可靠的开关速度和减少开关损耗。
    - 确保散热设计合理,避免长时间过载运行导致的热失控。

    5. 兼容性和支持


    GTT8205S 与常见的电路板材料(如FR4)兼容,可方便地进行表面贴装。厂商提供全面的技术支持,包括产品选型指导、测试报告及应用案例分享,帮助客户顺利应用到各类项目中。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路,确认栅极电阻设置正确。 |
    | 发热严重 | 改善散热设计,确保良好通风和散热路径。 |
    | 高频下工作不稳定 | 使用更高效的驱动电路,优化电路布局。 |
    | 寿命短 | 检查散热系统,避免过热;更换不良散热件。 |

    7. 总结和推荐


    GTT8205S凭借其低导通电阻、高电流承载能力和环保特性,成为电力管理和转换应用中的理想选择。其在开关电源、电机驱动和逆变器领域的出色表现,使其在市场上具备强大的竞争力。对于需要高效、可靠和环保的电力管理解决方案的工程师和设计师来说,GTT8205S 是一个值得信赖的选择。强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的应用领域。

GTT8205S-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 500mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

GTT8205S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

GTT8205S-VB数据手册

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GTT8205S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
55+ ¥ 0.4856
300+ ¥ 0.4496
500+ ¥ 0.4316
3000+ ¥ 0.4137
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