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NTD5867NLT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: NTD5867NLT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD5867NLT4G-VB

NTD5867NLT4G-VB概述

    NTD5867NLT4G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD5867NLT4G 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种应用场合。该器件具有卓越的性能参数和较高的耐温能力,能够在广泛的温度范围内稳定工作。其主要功能包括低导通电阻(rDS(on))和快速开关特性,使得它在电源管理、电机控制和其他电力转换应用中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时:0.025Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时:0.030Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 TJ = 175°C 时:23A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 TC = 25°C 时:100W
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 封装形式:TO-252

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽式栅极结构,提供更高的开关速度和更低的导通电阻。
    - 高耐温能力:可在高达 175°C 的结温下正常工作,适合高温应用。
    - 低导通电阻:即使在高温条件下,也能保持较低的导通电阻,减少功耗和热耗散。
    - 快速开关特性:优异的动态参数(如总门电荷 Qg 和门源电荷 Qgs),确保快速开关性能,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    NTD5867NLT4G MOSFET 广泛应用于各种电路设计中,包括但不限于电源转换器、电机驱动器、LED 照明系统和汽车电子控制系统。在具体应用中,用户需要注意以下几个方面:
    - 散热设计:由于其较大的功率耗散能力,需要合理设计散热装置以保证器件正常工作。
    - 门极驱动电路:建议使用专门的门极驱动芯片来实现快速和可靠的开关控制,从而充分发挥其性能。
    - 热管理:对于长时间工作在高温环境下的应用,应考虑增强热管理系统的设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD5867NLT4G 可以与常见的工业标准连接器和电路板进行兼容安装。
    - 支持和服务:台湾 VBsemi 电子有限公司提供了完善的技术支持和售后服务,用户可以通过客服热线 400-655-8788 获取相关技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高频率下工作时出现过热现象。
    - 解决办法:优化散热设计,使用高效的散热片或散热风扇,同时检查电路设计是否有改善空间。
    - 问题:门极驱动信号不稳定。
    - 解决办法:确保门极驱动电路的稳定性和可靠性,使用专业的门极驱动芯片并遵循相关推荐电路设计。

    总结和推荐


    总体来看,NTD5867NLT4G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款性能出色且应用广泛的产品。它具有出色的耐温能力和低导通电阻,非常适合于高效率的电源管理和电力转换应用。结合台湾 VBsemi 提供的专业技术支持和优质售后服务,我们强烈推荐此产品用于多种复杂和苛刻的应用环境中。

NTD5867NLT4G-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD5867NLT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD5867NLT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD5867NLT4G-VB NTD5867NLT4G-VB数据手册

NTD5867NLT4G-VB封装设计

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100+ ¥ 1.6207
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