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2SK3105-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: 2SK3105-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3105-T1B-A-VB

2SK3105-T1B-A-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册描述了一款高性能的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为2SK3105-T1B-A。它采用先进的TrenchFET®技术制造,广泛应用于各种电源转换和控制电路中,如DC/DC转换器。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 持续漏电流(ID):5.3A @ TA = 25°C,6.0A @ TC = 70°C
    - 脉冲漏电流(IDM):25A
    - 最大功率耗散(PD):1.7W @ TC = 25°C,1.1W @ TC = 70°C
    - 热阻抗(RthJA):90°C/W(最大值)

    - 电气特性:
    - 开启门限电压(VGS(th)):0.7V至2.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.030Ω @ VGS = 10V, 0.033Ω @ VGS = 4.5V
    - 总栅电荷(Qg):4.5nC @ VGS = 10V, 2.1nC @ VGS = 4.5V

    - 工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21定义的无卤素要求,并符合RoHS指令2002/95/EC。
    - 高性能:低导通电阻和高耐压能力,使该器件能够在各种高要求的应用环境中表现出色。
    - 可靠性:所有产品经过100% Rg测试,确保在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用:DC/DC转换器、电源开关和电机驱动等。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中应注意温度限制,确保在高温环境下有足够的散热措施。
    - 避免长时间超过绝对最大额定值的使用,以延长使用寿命。
    - 根据具体应用需求选择合适的栅源电压,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与常见的SOT-23封装兼容,适用于多种印刷电路板设计。
    - 支持和服务:提供全面的技术支持和客户服务,如有疑问可联系服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止过热?
    - 解决方案:安装散热片或采用强制风冷,确保器件工作温度不超过规定值。

    - 问题2:如何避免过流?
    - 解决方案:在电路中加入适当的过流保护装置,如保险丝或断路器。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其高性能、环保特性和可靠的设计,在多个应用领域中表现出色。其低导通电阻和高耐压能力使其成为众多高要求电子系统的理想选择。强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效、可靠电力控制的应用场合。
    通过上述内容,我们可以看到这款N-Channel 30-V MOSFET不仅具备卓越的技术参数和出色的可靠性,而且在环保和应用方面也有诸多优势。无论是对于新项目还是现有项目的升级,这款器件都是值得信赖的选择。

2SK3105-T1B-A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6.5A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3105-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3105-T1B-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3105-T1B-A-VB 2SK3105-T1B-A-VB数据手册

2SK3105-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.3105
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