处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7470TRPBF&-10-VB

IRF7470TRPBF&-10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
供应商型号: C693168
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7470TRPBF&-10-VB

IRF7470TRPBF&-10-VB概述

    IRF7470TRPBF&-10 N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF7470TRPBF&-10 是一款由VBsemi公司生产的N沟道40-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品广泛应用于同步整流和电源管理领域,如POL(点负载)转换器和IBC(输入缓冲电路)。其核心特点在于采用TrenchFET®技术,确保高效能及可靠性。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 40 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 9 A
    - TC = 70°C 时为 5 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50 A
    - 雪崩电流 (IAS): 15 A
    - 雪崩能量 (EAS): 11 mJ
    - 热阻 (RthJA): 37 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 40 V
    - 门限电压 (VGS(th)): 1 V 至 3 V
    - 零门压漏极电流 (IDSS): 1 μA
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 50 A
    - 开启状态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时为 0.014 Ω
    - VGS = 4.5 V 时为 0.016 Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 2000 pF
    - 输出电容 (Coss): 260 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 150 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = 10 V 时为 33 nC
    - VGS = 4.5 V 时为 15 nC

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料: 产品符合RoHS标准,并且不含卤素,满足环保要求。
    - 高性能: TrenchFET®技术确保低电阻和高耐压能力,适用于高功率应用。
    - 高可靠性: 全部经过Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 热稳定性: 极佳的热稳定性和低热阻,保证长期可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 同步整流: 用于高频开关电源的同步整流,提高效率。
    - POL转换器: 在各类直流到直流转换器中作为开关器件,减少功耗。
    - 使用建议:
    - 确保在适当的散热条件下使用,以避免过热损坏。
    - 使用专用电路板设计,确保器件周围有足够的空间进行散热。
    - 注意电压和电流限制,确保安全操作范围内的使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准SO-8封装兼容,易于焊接和布局。
    - 支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和客户支持热线400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热。
    - 解决办法: 改善散热设计,增加散热片或风扇。
    - 问题2: 开关频率过高导致过热。
    - 解决办法: 减少开关频率,优化电路设计。
    - 问题3: 连续工作时间过长。
    - 解决办法: 增加间歇时间,避免长时间连续工作。

    7. 总结和推荐


    IRF7470TRPBF&-10 MOSFET以其高可靠性、卓越的性能和出色的环保特性,在众多应用中表现出色。对于需要高效能和环保要求的应用,这款MOSFET是理想的选择。我们强烈推荐此产品用于各种电源管理和同步整流系统。

IRF7470TRPBF&-10-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7470TRPBF&-10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7470TRPBF&-10-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7470TRPBF&-10-VB IRF7470TRPBF&-10-VB数据手册

IRF7470TRPBF&-10-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.606
10+ ¥ 1.573
30+ ¥ 1.54
100+ ¥ 1.518
库存: 72
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504