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HFD4N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: HFD4N50-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFD4N50-VB

HFD4N50-VB概述

    HFD4N50 Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HFD4N50 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高可靠性的电力转换和开关应用设计。它具有低门极电荷(Qg)、增强的门极和动态 dV/dt 耐久性等特点,适用于各种电源管理设备和驱动电路。其主要应用领域包括工业控制、可再生能源系统、电动车辆驱动系统等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 650 V |
    | 阈值电压(VGS(th)) | 2.5 | 5.0 V |
    | 零门极电压漏极电流(IDSS) 250 | µA |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) 2.1 Ω |
    | 总门极电荷(Qg) 48 nC |
    | 输入电容(Ciss) 1417 pF |
    | 有效输出电容(Coss eff.) 84 nF |
    | 额定工作温度范围 | -55 | +150 °C |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:HFD4N50 具有低门极电荷(Qg = 48 nC),这简化了驱动要求,降低了开关损耗。
    - 高可靠性:通过改进的门极和动态 dV/dt 耐久性,提高了产品在恶劣环境下的可靠性。
    - 全面的电气特性:包括精确的门极和雪崩电压、电流特性,确保了稳定性和耐用性。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,确保产品无有害物质。

    应用案例和使用建议


    HFD4N50 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 工业控制:适用于需要高可靠性和高效率的电机驱动和开关电源。
    - 可再生能源系统:如光伏逆变器和风力发电系统的功率转换。
    - 电动车辆驱动系统:作为电动机的高效驱动器件。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中提供适当的散热,避免由于热过载导致损坏。
    - 使用低杂散电感布局,以减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HFD4N50 可与大多数标准电源管理和驱动电路兼容,提供了广泛的适用性。
    - 支持和维护:台湾 VBsemi 提供专业的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高负载下出现过热。
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通,必要时采用外部冷却风扇。
    2. 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接和门极驱动信号,确保信号强度和频率稳定性。
    3. 问题:启动电流过高。
    - 解决方案:适当调整启动条件和负载配置,减小启动电流冲击。

    总结和推荐


    HFD4N50 功率 MOSFET 是一款高可靠性的 N 沟道 MOSFET,具备低门极电荷、增强耐久性等优势,广泛应用于电力转换和开关应用中。其全面的技术参数和优秀的应用表现使其成为工业和新能源领域的理想选择。我们强烈推荐 HFD4N50 用于需要高可靠性和高效率的应用场合。

HFD4N50-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HFD4N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFD4N50-VB数据手册

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HFD4N50-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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起订量: 15 增量: 2500
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