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2SK2462-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: 2SK2462-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2462-VB

2SK2462-VB概述

    2SK2462-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2462-VB 是一种高性能的N沟道100V(D-S)MOSFET,适用于多种应用领域。它采用先进的TrenchFET®技术,具备高可靠性及卓越的性能。该器件主要用于隔离式直流-直流转换器中,因其低导通电阻(RDS(on))和高工作温度能力(175°C),特别适合在严苛环境下运行的应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏极-源极电压(VDS):100V
    - 栅极-源极电压(VGS):± 20V
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 最大功率耗散:3.75W(@25°C)
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(TC):18A(@25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):68A
    - 热阻参数:
    - 结点到环境(PCB安装)热阻(RthJA):40°C/W
    - 结点到外壳(漏极)热阻(RthJC):0.4°C/W
    - 其他电气特性:
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):50µA(@VDS = 100V, TJ = 125°C)
    - 源漏二极管反向恢复时间(trr):130ns至200ns
    - 反向恢复峰值电流(IRM(REC)):8A至12A
    - 反向恢复电荷(Qrr):0.52µC至1.2µC

    3. 产品特点和优势


    2SK2462-VB 具备以下显著优势:
    - 高可靠性:能够承受高达175°C的结点温度。
    - 低热阻设计:有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    - 严格的测试标准:确保所有产品都经过全面测试。
    - 广泛的适用性:适用于隔离式直流-直流转换器等多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    2SK2462-VB 在隔离式直流-直流转换器中的应用十分广泛,例如在电源管理和通信设备中。实际使用中,建议在1"方形PCB(FR-4材料)上安装以获得最佳性能。此外,需要确保电路中的栅极电阻(Rg)适配,以优化开关速度和减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    该器件与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性,适用于大多数现成的电源模块和电路板设计。台湾VBsemi公司提供完善的客户支持和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择合适的栅极电阻值,参考产品技术手册中的建议进行设置。

    - 问题:长时间高电流工作是否会降低器件寿命?
    - 解决方案:建议定期检查器件温度,并根据手册中的安全工作区(SOA)曲线进行操作,避免超载使用。

    7. 总结和推荐


    2SK2462-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有高可靠性、低导通电阻和宽工作温度范围等优点,非常适合用于隔离式直流-直流转换器等应用场合。强烈推荐给需要高稳定性和可靠性的工程师和设计师。

2SK2462-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2462-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2462-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2462-VB 2SK2462-VB数据手册

2SK2462-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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