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LP4101LT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: LP4101LT1G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LP4101LT1G-VB

LP4101LT1G-VB概述

    LP4101LT1G P-Channel 20-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: LP4101LT1G 是一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能: 它能够实现高效率的开关操作,适用于负载开关和功率放大器开关等领域。
    应用领域: 该 MOSFET 可广泛应用于直流/直流转换器、电源开关和负载开关等场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -20 | V |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.035 (VGS=-10V) | 0.061 (VGS=-2.5V) | Ω |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 5.0A (TC=25°C) | 4.8A (TC=70°C) | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 18 | A |
    | 持续源漏二极管电流 | IS | - | 2.1A (TC=25°C) | 1.0A (TA=25°C) | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 2.5W (TC=25°C) | 1.6W (TC=70°C) | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合 IEC 61249-2-21 的标准,绿色环保。
    - 全栅极测试: 确保产品质量可靠。
    - 符合 RoHS 指令: 绿色环保材料,适用于多种电子产品。
    - TrenchFET® 功率 MOSFET: 高效的开关性能,降低功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关: 用于电池供电设备的电源管理。
    - PA 开关: 用于无线通信设备的射频开关。
    - DC/DC 转换器: 适用于各种需要高效电源转换的应用场合。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 MOSFET 的 VDS 和 ID 参数满足应用需求。
    - 考虑散热设计,以避免过热损坏。
    - 在高功率应用中,考虑使用散热片或散热风扇。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种 PCB 设计,与标准 SOT-23 封装兼容。
    - 厂商支持: 提供详细的技术文档和支持,帮助用户进行产品选型和应用设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热损坏 | 添加散热措施,如散热片或风扇。 |
    | 电流过高 | 检查电路设计,确保符合最大电流限制。 |
    | 开关频率不稳定 | 调整驱动信号,确保稳定可靠的开关操作。 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    LP4101LT1G P 沟道 MOSFET 具有高性能、绿色环保和可靠的设计,适用于多种应用场合。它的低通态电阻和高耐压特性使其在开关应用中表现出色,尤其是在需要高效能电源管理和低功耗的应用中。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用领域,强烈推荐使用 LP4101LT1G P 沟道 MOSFET 作为高效开关和电源管理的理想选择。

LP4101LT1G-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LP4101LT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LP4101LT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LP4101LT1G-VB LP4101LT1G-VB数据手册

LP4101LT1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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