处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN3F30FH-VB

ZXMN3F30FH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: ZXMN3F30FH-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN3F30FH-VB

ZXMN3F30FH-VB概述

    # ZXMN3F30FH N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    ZXMN3F30FH 是一款 N 沟道增强型 30V(D-S)MOSFET 半导体器件,采用先进的 TrenchFET® 功率技术制造。该器件符合 RoHS 和无卤素标准,广泛应用于 DC/DC 转换器和其他功率管理电路中。作为一款高性能、高可靠性的器件,它在消费电子、工业控制、通信设备等领域具有重要的应用价值。
    主要功能
    - 高效电荷传输:低导通电阻(RDS(on)),适合高频开关应用。
    - 快速开关特性:支持高频率脉冲信号处理。
    - 环境友好:符合无卤素和 RoHS 标准,确保绿色环保。
    应用领域
    - DC/DC 转换器
    - 开关电源
    - 电池管理
    - 工业控制和自动化系统

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS 30 | V |
    | 漏极连续电流 | ID (TJ=150°C) 6.5 A |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.030 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg (Typ.) | 4.5 6.7 | nC |
    | 门限电压 | VGS(th) | 0.7 2.0 | V |
    工作条件
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压(VDS):30V
    - 门限电压(VGS):±20V
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结壳热阻(RthJC):90°C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):115°C/W

    产品特点和优势


    特点
    1. 高效能:低导通电阻(RDS(on))显著降低了功耗。
    2. 快速响应:适用于高频开关应用。
    3. 环保设计:满足 RoHS 和无卤素要求,符合现代电子行业绿色发展的趋势。
    4. 高可靠性:通过严格的测试,保证 100% Rg 测试合格。
    优势
    - 节省能源:更低的导通损耗,提高整体效率。
    - 适应性强:宽泛的工作温度范围,适合各种复杂工况。
    - 成本效益:高效的开关性能和较长的使用寿命降低整体系统成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMN3F30FH 广泛用于直流-直流转换器,尤其是在需要高效功率转换的场景中。例如,在智能手机充电器中,它能够有效减少热量产生并延长电池寿命。
    使用建议
    1. 优化布局:确保 PCB 设计合理,避免寄生效应影响性能。
    2. 散热管理:对于高功率应用场景,需附加散热片或优化散热结构以提升可靠性。
    3. 匹配外围电路:结合驱动芯片选择合适的驱动电阻(Rg),以实现最佳开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持主流 PCB 封装(如 SOT-23),易于集成到现有设计中。
    - 可与多种驱动芯片协同工作,确保系统稳定运行。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和技术支持服务。
    - 定期进行产品升级,保持技术领先。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 添加外部散热器,优化 PCB 散热设计 |
    | 导通电阻偏大 | 检查驱动信号强度是否足够 |
    | 开关速度过慢 | 适当降低驱动电阻(Rg) |

    总结和推荐


    综合评估
    ZXMN3F30FH 是一款性能优异的 N 沟道功率 MOSFET,具备高效、环保、可靠的特性。其出色的导通电阻和快速开关能力使其成为许多应用的理想选择。
    推荐意见
    我们强烈推荐 ZXMN3F30FH 在高频开关电源、电池管理和消费电子产品中的应用。它不仅能够提升系统的整体效率,还能够带来长期的成本节约和环境友好型优势。
    结论:ZXMN3F30FH 是一款值得信赖的电子元器件产品,非常适合作为高性能功率半导体解决方案的一部分。

ZXMN3F30FH-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMN3F30FH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN3F30FH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN3F30FH-VB ZXMN3F30FH-VB数据手册

ZXMN3F30FH-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336