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NUD3160LT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: NUD3160LT-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NUD3160LT-VB

NUD3160LT-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET — NUD3160LT 技术概述

    1. 产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET(NUD3160LT) 是一种适用于各种电子系统的高性能场效应晶体管。这种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)采用TrenchFET技术制造,能够提供低阈值电压、快速开关速度和低漏电电流等特点。主要应用于直接逻辑级接口(如TTL/CMOS)、驱动电路(如继电器、电磁铁、灯、锤子、显示器、内存、晶体管等)以及电池供电系统。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | NUD3160LT | VGS=0 V, ID=10 μA | 60 V |
    | 阈值电压 1 | 2.5 V |
    | 输入电容 VDS=25 V, VGS=0 V 25 pF |
    | 开启时间 VDD=30 V, RL=150 Ω 20 | 30 | ns |
    | 关断时间 VDD=30 V, RL=150 Ω| 2.8 | 3.1 | 3.8 | ns |
    | 工作温度范围 -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低阈值电压:典型的阈值电压为2V,使得该MOSFET在较低电压下仍能稳定工作。
    - 低输入电容:25pF的低输入电容减少了驱动功率的需求。
    - 快速开关速度:开关时间仅为20ns到30ns,适合高频应用。
    - 高可靠性:符合RoHS指令,无卤素材料,确保产品在环保方面的合规性。
    - 易于驱动:无需缓冲器即可轻松驱动,简化电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于逻辑级接口、继电器驱动、电池供电系统、固态继电器等领域。例如,在电源管理系统中作为开关元件使用,可以提高系统的整体效率。
    - 使用建议:在设计电路时,应注意MOSFET的散热问题。建议使用散热片或散热器以避免过热导致损坏。此外,确保驱动电路具备足够的能力来处理MOSFET的开关电流。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与主流的SOT-23封装兼容,可轻松安装在标准电路板上。同时,该产品也适用于各种微控制器和数字电路的接口。
    - 支持:制造商提供了详细的技术手册和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。客户还可以通过官方网站获取最新的技术文档和支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定MOSFET的最大工作温度?
    - 解答:最大工作温度通常为150°C,但具体数值取决于实际应用情况。在高温环境下使用时,务必考虑适当的散热措施。

    - 问题2:开关时间如何影响MOSFET的工作性能?
    - 解答:开关时间决定了MOSFET在切换状态时的响应速度。较快的开关时间可以提高系统的工作频率,但也可能导致更高的开关损耗。因此,在设计电路时需要平衡开关速度和功耗。

    7. 总结和推荐


    NUD3160LT 是一款性能优异的N-Channel 60-V MOSFET,具备低阈值电压、快速开关速度和低漏电电流等优点,适用于多种应用场景。其高可靠性、易于驱动的特点使其在市场上具有较强的竞争力。鉴于其卓越的表现和广泛应用范围,我们强烈推荐此产品用于需要高性能开关元件的设计项目。

NUD3160LT-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 300mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
栅极电荷 0.4nC@ 4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NUD3160LT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NUD3160LT-VB数据手册

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NUD3160LT-VB封装设计

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