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FQB12P20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;P—Channel沟道,-200V;-6.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2V;
供应商型号: 14M-FQB12P20 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQB12P20

FQB12P20概述


    产品简介


    FQB12P20-VB P-Channel MOSFET 是一款由台湾VBsemi公司生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。该产品具有-200V的漏源击穿电压和极低的导通电阻(RDS(on)),适用于各种高压开关电路。主要功能包括动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、快速切换能力等。广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | -200 | V |
    | 导通电阻 | 0.50 | Ω |
    | 最大栅源电压 | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | -11 | A |
    | 脉冲漏极电流 | -44 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | 700 | mJ |
    | 重复雪崩电流 | -11 | A |
    | 重复雪崩能量 | 13 | mJ |
    | 最大功率耗散 | 125 | W |
    | 栅极电荷(Qg) | 44 | nC |
    | 栅极-源极电荷(Qgs) | 7.1 | nC |
    | 栅极-漏极电荷(Qgd) | 27 | nC |
    | 开启延迟时间(td(on)) | - | ns |
    | 关闭延迟时间(td(off)) | - | ns |

    产品特点和优势


    FQB12P20-VB 的独特之处在于其动态dV/dt额定值和重复雪崩额定值,这使得它能够在高压环境下稳定工作。该器件还具备快速开关能力和易于并联的优势,且驱动要求简单。这些特点使其成为高可靠性和高效能应用的理想选择。此外,其低栅极电荷和栅极-漏极电荷有助于减少功耗和提高效率。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于电源管理电路中,例如用于DC-DC转换器和电源逆变器。根据手册中的示例,我们可以在如下场景中使用它:
    1. 直流电源转换器:可以利用其高耐压和低导通电阻来实现高效的直流电压转换。
    2. 电机驱动电路:快速开关特性使得它在驱动电机时能够提供更稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 确保散热设计充分,以避免过热损坏。
    - 在高电流环境中,考虑采用适当的保护措施如瞬态电压抑制器。
    - 尽量保持电路布局简洁,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    FQB12P20-VB 与多种驱动器和控制器兼容,适用于不同种类的电源管理和控制电路。制造商提供了详细的文档和技术支持,确保用户在使用过程中能够获得必要的帮助和指导。此外,产品还符合RoHS和无卤素标准,确保安全环保。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作温度范围?
    解决方案:检查产品手册中的“绝对最大额定值”,确认器件的温度范围为-55°C到+150°C。
    2. 问题:如何测量栅极电荷?
    解决方案:参见产品手册中的测试电路(图13b),按照步骤进行测量。

    总结和推荐


    总体而言,FQB12P20-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,非常适合于需要高压、高效开关的应用场合。其快速开关特性、低导通电阻和易于驱动的特点使其在市场上具备显著的竞争力。综上所述,强烈推荐此产品给需要高压开关解决方案的工程师和设计师。

FQB12P20参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQB12P20厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQB12P20数据手册

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FQB12P20封装设计

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