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IPD200N15N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;N—Channel沟道,150V;50A;RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: 14M-IPD200N15N3 G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD200N15N3 G

IPD200N15N3 G概述

    IPD200N15N3 G-VB N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD200N15N3 G-VB 是一款N沟道150V(D-S)MOSFET。作为TrenchFET®功率MOSFET系列的一员,它具备卓越的电气特性和广泛的应用范围。主要应用于初级侧开关(Primary Side Switch),适用于需要高性能和高可靠性场合的电源管理系统。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-漏极电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 漏极-源极击穿电压 | VGS = 0 V,ID = 250 µA | 100 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 源极电流(二极管导通) | IS | - | - | 43 | A |
    | 漏极连续电流 | ID(TC) | - | 125°C时为125 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 40 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 25°C时为96 | - | W |
    | 热阻 | RthJA | - | - | 18 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高温耐受性:IPD200N15N3 G-VB能够在高达175°C的结温下稳定工作,特别适合恶劣环境下的应用。
    - 高效率:PWM优化设计使得这款MOSFET在脉宽调制应用中表现出色。
    - 全面测试:100%栅极电阻测试确保了产品的质量和一致性。
    - 环保合规:符合RoHS指令,环保友好。

    应用案例和使用建议


    - 初级侧开关:这款MOSFET非常适合用于开关电源中的初级侧开关。例如,在数据中心的电源供应系统中,可以通过使用IPD200N15N3 G-VB来提高系统的转换效率和稳定性。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在设计电路时应考虑散热问题。合理布置散热片,确保良好的热传导,可以显著提高设备的工作寿命和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD200N15N3 G-VB采用TO-252封装,易于集成到现有设计中。它与市场上大多数标准电路板相兼容。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务。如需进一步的帮助,可联系400-655-8788获取专业支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:设备在高温环境下工作不稳定?
    - A: 增加散热措施,确保良好的热传导。必要时,可选用更大的散热片或添加散热风扇。

    2. Q:MOSFET在脉冲工作时出现过热?
    - A: 减少脉冲宽度和增加脉冲间隔,以降低功耗。同时检查散热是否充分,确保良好的热管理。

    总结和推荐


    IPD200N15N3 G-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于各种高压和高温环境下的开关电源应用。其出色的温度耐受性、高效率以及完备的技术支持使其成为电源管理领域的理想选择。综上所述,强烈推荐使用这款产品。

IPD200N15N3 G参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD200N15N3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD200N15N3 G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD200N15N3 G IPD200N15N3 G数据手册

IPD200N15N3 G封装设计

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