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NVD5117PLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;P—Channel沟道,-60V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,10.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);
供应商型号: 14M-NVD5117PLT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD5117PLT4G

NVD5117PLT4G概述


    产品简介


    NVD5117PLT4G-VB
    NVD5117PLT4G-VB是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的MOSFET主要用于高电压和高电流的应用场景,如开关电源、电机驱动、直流/交流转换器等。它具有优良的开关性能和低导通电阻,适用于需要高效能、低损耗的应用场合。

    技术参数


    以下是NVD5117PLT4G-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 最大电压:VDS(漏源电压)为-60V。
    - 最大电流:TC条件下连续漏极电流ID为-65A;脉冲漏极电流IDM为-225A。
    - 导通电阻:RDS(on)在不同条件下的典型值为:
    - VGS = -10V时,ID = -30A,TJ = 25°C,RDS(on) = 0.0055Ω。
    - VGS = -10V时,ID = -30A,TJ = 125°C,RDS(on) = 0.010Ω。
    - VGS = -10V时,ID = -30A,TJ = 175°C,RDS(on) = 0.013Ω。
    - VGS = -4.5V时,ID = -20A,RDS(on) = 0.008Ω。
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压VGS:±20V。
    - 连续栅源泄漏电流IGSS:±100nA(VDS = 0V,VGS = ±20V)。
    - 其他特性:
    - 最大功耗PD:在PCB安装条件下为187W(TO-220AB和TO-263封装)。
    - 热阻RthJA(TO-263封装):40°C/W。
    - 操作结温和存储温度范围TJ, Tstg:-55°C到175°C。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:优秀的低RDS(on)特性,使得它在多种高功率应用中表现出色。
    - 高可靠性:符合RoHS指令,且不含铅的端子,保证产品的环保性和长期可靠性。
    - 耐高温:操作温度范围宽,可承受高达175°C的工作温度,适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关性能:具有较低的输入、输出和反向传输电容,保证了良好的开关速度。
    - 高雪崩耐受能力:能够承受高达180mJ的重复雪崩能量,确保在瞬态过电压情况下仍能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 开关电源:用于高效率的DC-DC转换器,由于其低导通电阻和高耐压特性,可以显著提高系统的效率和稳定性。
    2. 电机驱动:在电动机控制电路中作为开关元件,提供精确的电流控制和保护功能。
    3. 电池管理:在电池管理系统中作为充电和放电路径上的开关,确保安全高效的充放电过程。
    使用建议:
    1. 散热设计:考虑到其较高的工作电流和功耗,建议采用有效的散热措施,如散热片或热管,以防止因过热导致的故障。
    2. 电路布局:合理规划电路布局,尽量缩短栅极和源极间的走线,以减少寄生电感,提高开关速度。
    3. 保护电路:在关键位置加入保护电路,如TVS二极管和箝位电路,以防电压过冲对MOSFET造成损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVD5117PLT4G-VB具有良好的封装兼容性,如TO-220AB和TO-263,适用于多种电路板设计。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供了完善的客户支持服务,包括技术支持、样品申请、批量采购等。此外,官方网站上有详细的技术文档和应用指南,便于工程师和技术人员查阅。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中出现过度发热。
    - 解决方案:增加散热措施,如加大散热器面积或采用强制风冷。
    2. 问题:在高频开关应用中,栅极振荡严重。
    - 解决方案:在栅极与源极之间添加RC缓冲电路,抑制振荡现象。
    3. 问题:过高的栅极电压导致MOSFET击穿。
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极电压不超过20V的绝对最大额定值,并添加适当的保护电路。

    总结和推荐


    综上所述,NVD5117PLT4G-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,具有出色的电气特性和可靠的设计,适合广泛应用于高功率、高效率的工业和消费电子设备中。其独特的低导通电阻和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。如果你正在寻找一款性能卓越且稳定可靠的MOSFET产品,NVD5117PLT4G-VB无疑是一个值得考虑的选择。

NVD5117PLT4G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V,18A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 61A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF
通用封装 TO-252
应用等级 工业级
零件状态 在售

NVD5117PLT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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NVD5117PLT4G封装设计

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