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AUIRF6218STRL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;P—Channel沟道,150V,-13A,RDS(ON),190mΩ@10V,237.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);
供应商型号: 14M-AUIRF6218STRL TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AUIRF6218STRL

AUIRF6218STRL概述


    产品简介


    P-Channel 150V MOSFET
    产品类型:本产品是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率电子元器件,广泛应用于直流电路中的电源开关、负载开关及DC/DC转换器等领域。
    主要功能:该器件具有高效率、低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度的特点,可以有效提升电路的整体性能和可靠性。
    应用领域:典型应用包括但不限于电源开关、负载开关(适用于大电流场合)、DC/DC转换器等。

    技术参数


    基本规格:
    - 漏源电压(VDS):150V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150 °C):20A
    - 最大脉冲漏极电流(t = 300 µs):25A
    - 正向传输电容(Ciss):2nF @ 20V
    - 逆向传输电容(Crss):280pF
    - 总栅极电荷(Qg):67nC @ -10V VGS
    - 通态漏源电阻(RDS(on)):0.15Ω @ -10V VGS, 0.17Ω @ -4.5V VGS
    环境适应性:
    - 存储温度范围:-55°C至150°C
    - 工作温度范围:-55°C至150°C
    - 热阻抗:RthJA 60°C/W,RthJC 3°C/W

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - Halogen-free & RoHS Compliance:符合IEC 61249-2-21和RoHS标准,确保环保和安全使用。
    - TrenchFET® Technology:采用先进的沟槽工艺,进一步降低导通电阻并提高开关速度。
    - 可靠性高:100% Rg和UIS测试通过,保证了长期可靠性的稳定性。
    - 多功能应用:适用于多种高压电源转换和控制场景,尤其适合于需要高效率和高速度的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个高电流负载开关的应用中,该器件表现出色。在150°C条件下,它能够承受高达20A的连续电流,且在300μs脉冲条件下可承受25A的峰值电流,满足了苛刻的工作条件要求。
    - 另一个案例是作为DC/DC转换器的核心开关元件,得益于其高耐压能力和快速开关特性,使得整个系统能够在紧凑的设计空间内实现高效转换。
    使用建议:
    - 设计时需考虑合适的散热措施,以保证器件的热稳定性,避免过热损坏。
    - 在高频开关应用中,要特别注意选择合适值的栅极电阻(Rg),以优化开关特性和减少电磁干扰(EMI)。
    - 确保设计符合相关标准的温度范围,特别是在极端低温或高温环境下使用时,确保产品正常运行。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品采用了D2PAK封装,与多种电路板设计兼容,易于集成到现有的系统中。
    支持与维护:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,涵盖安装、调试和故障排除,确保用户能够充分利用产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高温环境下,器件的性能是否会受到影响?
    解决方案:查看器件的绝对最大额定值表和热阻抗参数,确保设计的散热方案能够将工作温度保持在器件的安全范围内。
    问题2:如何确定合适的栅极电阻值?
    解决方案:根据开关速度的要求,查阅厂商提供的典型特性图表,计算出合理的栅极电阻值,以平衡开关时间和功耗需求。
    问题3:在应用过程中出现漏电流问题如何解决?
    解决方案:检查电路布局是否合理,确认电源输入稳定,同时核查是否存在外部干扰源。必要时更换更稳定的电源供应或采用屏蔽技术减少外部干扰。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:该款P-Channel MOSFET在多种高要求的电力应用中展现了出色的性能,包括低导通电阻、快速开关速度和高可靠性。
    - 推荐使用:鉴于其优越的性能表现和广泛的应用场景,我们强烈推荐在高电流电源管理和控制领域中使用此器件。对于追求高性能和可靠性的客户而言,这是不可或缺的理想选择。
    结论:这款P-Channel 150V MOSFET凭借其先进的技术和出色的性能,在多个应用场景中均展现出卓越的表现,是一个值得信赖的选择。

AUIRF6218STRL参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
最大功率耗散 2W
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 10V,1A
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 2.3A
栅极电荷 25nC@ 10V
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 290pF@15V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AUIRF6218STRL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AUIRF6218STRL数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AUIRF6218STRL AUIRF6218STRL数据手册

AUIRF6218STRL封装设计

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