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VBMB165R10S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),0.360Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB165R10S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R10S

VBMB165R10S概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    这款N沟道650V超级结功率MOSFET是一种高性能的电子元件,主要用于电力转换系统。其主要功能包括高效转换电能,降低开关损耗,适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)及各类照明系统如高强度放电灯(HID)和荧光灯的控制电路。此外,该产品在工业应用领域也有广泛的应用。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大耐压值 (VDS): 650V
    - 最大栅极电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C) @ 10 V: 10 A (25 °C), 6.7 A (100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 132 mJ
    - 最大功耗 (PD): 83/83/31 W
    - 工作温度范围: TJ, Tstg: -55至+150 °C
    - 电气特性
    - 门极输入电阻 (Rg): 3.5 Ω (f = 1 MHz)
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2 - 4 V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)) @ 10 V, 5 A: 0.5 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 680 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 热特性
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 80 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET具备低图优度(FOM),低输入电容(Ciss),低开关损耗和导通损耗,超低门极电荷(Qg)等特点。这些特性使其能够在高频率、大电流和恶劣的工作环境中表现出色,从而提高了系统的整体效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:用于直流到交流的转换,确保稳定的电力输出。
    - 开关模式电源供应(SMPS):在数据中心和其他需要高效率电源供应的应用中,有效降低能耗。
    - 荧光灯控制:提供高效的能量转换,延长灯具寿命。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应考虑增加散热措施,以避免过热导致器件损坏。
    - 对于高频应用,注意选择合适的门极驱动器,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET与市面上主流的控制器和电源管理IC兼容。制造商提供了详细的技术文档和专业支持,包括技术咨询和售后保障,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查电路接线是否正确,确保所有连接牢固。同时确认电源电压是否符合要求。

    - 问题2:MOSFET过热
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,增加散热器以提高散热效率。或者降低工作频率以减少热损耗。

    总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET具有优异的性能和稳定性,特别适合在电力转换和控制系统中使用。它不仅具备出色的电气性能,还拥有较低的功耗和良好的可靠性,是工业和商业应用的理想选择。因此,我强烈推荐使用该产品。

VBMB165R10S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R10S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R10S数据手册

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VBMB165R10S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 4.784
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