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VBMB17R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,700V;20A;RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBMB17R20S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB17R20S

VBMB17R20S概述

    N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET — VBM17R20S / VBMB17R20S / VBP17R20S

    产品简介


    VBM17R20S、VBMB17R20S 和 VBP17R20S 是一款高性能的 N-Channel Super Junction Power MOSFET。这类器件以其卓越的低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)而著称,广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)、照明(高密度放电灯和荧光灯)、工业设备等领域。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS):最高 700V,在最大结温下保持不变。
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大 0.21Ω(在 25°C 和 10V VGS 下)。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 110nC。
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值为 15nC。
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值为 32nC。
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 2415pF。
    - 输出电容 (Coss):最大值为 118pF。
    - 反向传输电容 (Crss):最大值为 4pF。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为 691mJ。
    - 连续漏极电流 (ID):在 150°C 结温下为 20A(VGS=10V),在 100°C 温度下为 14A。
    - 最大耗散功率 (PD):227W。
    - 结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C。

    产品特点和优势


    1. 低 FOM 值 (Ron x Qg):有效减少开关损耗和传导损耗。
    2. 低输入电容 (Ciss):显著提高开关速度。
    3. 低栅极电荷 (Qg):降低驱动功率需求。
    4. 超低雪崩能量 (EAS):增强可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    这些特点使得 VBM17R20S 在高能效应用中表现出色,特别是在服务器电源和电信电源中,具备优异的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    VBM17R20S 被广泛应用于各类电源系统中。例如,在开关模式电源(SMPS)中,它能够提供高效的能量转换和低功耗操作。在荧光灯和 HID 照明系统中,其低功耗和高可靠性确保了灯具的长期稳定运行。
    使用时建议考虑以下几点:
    - 散热管理:由于高功率损耗,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路设计:优化驱动电路,以最大限度地减少开关时间和导通时间。
    - 测试验证:确保在实际应用前进行充分的测试,以确认其符合特定要求。

    兼容性和支持


    VBM17R20S 可以与其他标准 MOSFET 配合使用,并且兼容多种封装形式(如 TO-220AB、TO-247AC)。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的导通电阻导致发热严重 | 检查驱动电压是否正确,确保 VGS 达到额定值。 |
    | 开关频率过高导致损耗增加 | 减少开关频率,优化驱动电路。 |
    | 散热不良导致结温升高 | 改进散热设计,增加散热片或风扇。 |

    总结和推荐


    VBM17R20S / VBMB17R20S / VBP17R20S 是一款高性能的 N-Channel Super Junction Power MOSFET,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷,适用于多种电源系统和工业设备。其优异的性能和广泛的适用性使其成为市场上的热门选择。我们强烈推荐使用此产品,特别是对于需要高效和高可靠性应用的客户。

VBMB17R20S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 210mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 700V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB17R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB17R20S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB17R20S VBMB17R20S数据手册

VBMB17R20S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 8.7706
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型号 价格(含增值税)
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