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VBMB18R18S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,18A,RDS(ON),0.220Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB18R18S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB18R18S

VBMB18R18S概述

    VBMB18R18S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    VBMB18R18S是一款适用于高压应用的N沟道超级结功率MOSFET。该器件以其低导通电阻(Ron)和极低的栅极电荷(Qg)而著称。主要功能包括高开关速度和低损耗,使其成为服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统的理想选择。此外,它也广泛应用于工业设备,特别是在高亮度放电(HID)和荧光灯球泡等照明设备中。

    技术参数


    以下是VBMB18R18S的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 800 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.220 | Ω |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±30 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 18 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 1.54 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 474 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | 236 | W |
    | 最大存储和工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 to +150 | °C |
    | 体二极管反向恢复时间(trr) | 475 | ns |
    | 体二极管反向恢复电荷(Qrr) | 5.8 | μC |

    产品特点和优势


    - 低器件品质因数 (FOM): VBMB18R18S的FOM值低,意味着其导通电阻(Ron)和栅极电荷(Qg)的乘积小,从而减少了开关过程中的损耗。
    - 输入电容低: 低输入电容(Ciss)使得驱动更简单,降低了开关过程中的能量损失。
    - 降低开关和导通损耗: 极低的栅极电荷(Qg)显著提高了器件的工作效率,减少整体能耗。
    - 高可靠性: 通过严格的测试和高标准的设计,确保了器件在恶劣环境下仍能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    VBMB18R18S的主要应用场景包括服务器和电信电源、SMPS、PFC电源以及各种照明系统。对于这些应用,用户应注意以下几点使用建议:
    - 散热管理: 由于其较高的最大功耗,应特别注意良好的散热设计,以防止过热。
    - 电路布局: 在电路设计时,应尽量减小PCB上的杂散电感,以减少寄生效应。
    - 栅极驱动: 使用合适的栅极驱动器,确保快速稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    VBMB18R18S与常见的电源转换拓扑结构完全兼容,如Buck、Boost、Flyback等。厂商提供详尽的技术支持,包括详细的文档和专业的技术支持团队,确保客户能够顺利集成该器件到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 设备在高温下工作不稳定。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,增加散热片或采用主动冷却措施。
    - 问题: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 优化电路布局,增加去耦电容和缓冲电路。
    - 问题: 器件在高温环境下工作失效。
    - 解决方案: 选择合适的工作温度范围内的产品,确保符合应用要求。

    总结和推荐


    VBMB18R18S凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性等特点,在多个应用领域表现优异。对于需要高性能、高可靠性的电源管理和照明应用,我们强烈推荐使用VBMB18R18S。其出色的性能和广泛的应用范围,使其成为市场上最具竞争力的产品之一。

VBMB18R18S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB18R18S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB18R18S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB18R18S VBMB18R18S数据手册

VBMB18R18S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 20.0557
10+ ¥ 18.265
30+ ¥ 17.2422
100+ ¥ 15.185
1000+ ¥ 14.612
3000+ ¥ 14.3255
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