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VBN165R13S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,13A,RDS(ON),0.330Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO262
供应商型号: 14M-VBN165R13S TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBN165R13S

VBN165R13S概述

    # VBN165R13S N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBN165R13S 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,工作电压为650V,具备低导通电阻和低栅极电荷的特点。它广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 工作电压(VDS) | 650 V |
    | 门源电压(VGS) | ±30 V |
    | 连续漏极电流(ID) 13 A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) 8 A |
    | 雪崩能量(EAS) 750 | mJ |
    | 最大功耗(PD) 60 | W |
    | 结温范围(TJ, Tstg) | -55 150 | °C |
    | 驱动波形上升速率(dV/dt) 50 V/ns |
    | 反向二极管恢复时间(trr) 80 ns |

    产品特点和优势


    1. 低FOM(RON x QG):VBN165R13S 的Ron与Qg之积很低,有助于降低开关损耗和传导损耗。
    2. 低输入电容(CISS):减少驱动电路的损耗。
    3. 超低栅极电荷(QG):降低驱动损耗。
    4. 雪崩能量额定(UIS):保证在恶劣环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器和电信电源中的高效率转换。
    - 在工业应用中的开关模式电源和功率因数校正。
    - 在照明系统中高效驱动高强度放电灯和荧光灯。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电阻(Rg),以确保开关速度和开关损耗的平衡。
    - 注意在高频率工作时散热设计,避免因温度过高导致性能下降。

    兼容性和支持


    VBN165R13S 是一款易于集成的产品,与主流电源设计具有良好的兼容性。台湾VBsemi提供技术支持和售后服务,如有任何问题可随时联系客服。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决办法: 通常选择9.1Ω左右的驱动电阻,既可确保开关速度快,又可控制开关损耗。

    2. 问题:在高温环境下工作时,如何防止过热?
    - 解决办法: 增加散热片,使用风扇等外部冷却装置,并合理布置电路以增加空气流通。

    总结和推荐


    综上所述,VBN165R13S 具备低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性的特点,在各类电源转换和控制应用中表现出色。无论是从性能还是可靠性来看,这款产品都是同类产品中的佼佼者,非常推荐用于高性能电源设计。
    如有进一步的技术咨询,请联系台湾VBsemi客户服务热线:400-655-8788。
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

VBN165R13S参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 330mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBN165R13S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBN165R13S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBN165R13S VBN165R13S数据手册

VBN165R13S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.4882
10+ ¥ 6.8196
30+ ¥ 6.4377
100+ ¥ 5.6696
1000+ ¥ 5.4557
3000+ ¥ 5.3487
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