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VBE17R08S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,8A,RDS(ON),0.560Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-VBE17R08S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE17R08S

VBE17R08S概述


    产品简介


    VBE17R08S是一款N沟道超结功率MOSFET,具有700V的漏源击穿电压(VDS)。该器件适用于多种应用领域,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明(如高强度放电灯HID和荧光灯)、工业(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源及光伏逆变器)。这款MOSFET具备低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)等特点,能够显著减少开关损耗和导通损耗。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 700 V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) 0.560 Ω |
    | 连续漏极电流(ID) 8 | 100 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) 24 A |
    | 额定单脉冲雪崩能量(EAS) 330 | mJ |
    | 最大功耗(PD) 180 | W |
    | 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg) -55 | +150 | °C |
    | 栅源阈压(VGS(th)) | 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电(IGSS) ± 100 | nA |
    | 零栅压漏极电流(IDSS) 1 | μA |
    | 输入电容(Ciss) 2300 | pF |
    | 输出电容(Coss) 51
    | 有效输出电容时间(Co(tr)) 205
    | 有效输出电容能量(Co(er)) 48

    产品特点和优势


    1. 低优值系数(FOM):Ron x Qg 的低值使得该器件在高频率应用中表现优异。
    2. 低输入电容(Ciss):减少了门极驱动损耗。
    3. 低栅极电荷(Qg):降低了开关损耗,提高了效率。
    4. 雪崩能量评级(UIS):具有较高的抗雪崩能力。
    5. 高温稳定性:即使在150°C的高温环境下也能保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源系统:用于提供稳定且高效的电力供应。
    - 照明系统:特别是在高强度放电灯(HID)和荧光灯中。
    - 工业设备:如焊接设备、感应加热设备、电机驱动、电池充电器和太阳能光伏逆变器。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热设计合理,以避免过热导致的损坏。
    - 为提高可靠性,可以在电路中增加保护电路,如过流保护和浪涌保护。

    兼容性和支持


    VBE17R08S可以与其他标准N沟道MOSFET配合使用,并支持主流的PCB设计工具。VBsemi公司提供了全面的技术支持和客户咨询服务,包括应用指导、测试支持和故障诊断服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在使用过程中出现过热现象
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇以改善散热效果。

    2. 问题:器件无法正常启动
    - 解决方案:检查输入电压是否符合要求,确认门极驱动信号正常。

    3. 问题:器件在高频率下工作不稳定
    - 解决方案:确保输出电容和栅极电阻的匹配,调整门极驱动信号频率以匹配器件性能。

    总结和推荐


    VBE17R08S N沟道超结功率MOSFET凭借其低栅极电荷、低输入电容和高可靠性等特点,在多种工业和消费电子产品中表现出色。它在高频率和高功率应用中尤其适用。鉴于其广泛的应用领域和强大的技术支持,我们强烈推荐使用VBE17R08S。

VBE17R08S参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE17R08S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE17R08S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE17R08S VBE17R08S数据手册

VBE17R08S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.1162
10+ ¥ 4.6594
30+ ¥ 4.3984
100+ ¥ 3.8737
2500+ ¥ 3.7275
7500+ ¥ 3.6544
库存: 5
起订量: 1 增量: 2500
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