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VBL165R36S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,36A,RDS(ON),0.075Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO263
供应商型号: VBL165R36S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R36S

VBL165R36S概述

    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册描述的是一个N沟道650V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为VBL165R36S。这种MOSFET主要用于电源管理和控制,在各种电力转换和调节应用中表现出色。其主要功能包括低损耗开关操作、高效率的能量传输,适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统等领域,特别是高亮度放电(HID)灯和荧光灯管的控制。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 650V(在TJ max.时)
    - 通态电阻(RDS(on)): 在25°C下,当VGS=10V时,RDS(on)=0.075Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC=25°C, VGS=10V时,ID=36A
    - TC=100°C时,ID=25A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 110A
    - 反向恢复时间(trr): TJ=25°C时,IF=IS=8A,dI/dt=100A/μs,VR=400V时,trr=475ns
    - 门极充电(Qg): 在VGS=10V时,Qg=70nC
    - 输入电容(Ciss): 在VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz时,Ciss=4000pF
    - 输出电容(Coss): 80pF
    - 反向转移电容(Crss): -4pF
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 1400mJ

    产品特点和优势


    - 低损耗操作: 该MOSFET具有低RDS(on)和低Qg,可以有效减少开关和导通损耗。
    - 快速开关能力: 门极充电量低,支持高频开关应用。
    - 可靠的工作环境: 能够承受高温(最高至150°C)和大电流冲击,适合恶劣环境下的应用。
    - 高能效: 通过降低开关频率和提高转换效率来提高整体能效。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 在这些应用中,要求组件能够处理高功率且需要高效能转换,该MOSFET由于其高可靠性,在此环境中表现良好。
    - 照明: 特别是在HID和荧光灯管的应用中,MOSFET可以提供精确的控制和高效的能源利用。
    使用建议:
    - 在设计电源转换电路时,考虑MOSFET的热管理以确保其正常工作。
    - 高频应用中注意MOSFET的热耗散问题,可采用散热片或其他冷却手段。
    - 为了优化电路性能,可以通过调整驱动电阻来优化开关时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与常见的PCB布局和连接器兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持: 供应商提供了详细的技术支持文档和热线服务,以帮助解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过大的电流尖峰。
    - 解决方法: 增加门极电阻或优化门极驱动电路。
    - 问题2: 高温环境下MOSFET无法正常工作。
    - 解决方法: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器。

    总结和推荐


    该N沟道650V超级结功率MOSFET VBL165R36S具有卓越的性能和可靠性,特别适用于高功率应用环境。其低损耗特性使其成为各种电源管理和转换系统的理想选择。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的场合。

VBL165R36S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 36A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R36S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R36S数据手册

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VBL165R36S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 17.4416
500+ ¥ 16.0462
800+ ¥ 15.3486
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